Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 1998, выпуск 5 » Статья стр. 574
<<<>>>
Дифференциальное сопротивление туннельных контактов Au/GaAs1-xSbx в области нулевой аномалии. I. Контакты к n-GaAs1-xSbx
Полянская Т.А.1, Аллен Т.Ю.1, Нажмудинов Х.Г.1, Ястребов С.Г.1, Савельев И.Г.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 9 декабря 1997 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1998 г.
PDF версия
Исследованы вольт-амперные характеристики и дифференциальное сопротивление R(V)=dV/dI туннельных контактов Au/n-GaAs1-xSbx. Барьеры Шоттки изготавливались на эпитаксиальных слоях n-GaAs1-xSbx, специально не легированных, в области составов твердого раствора 0.01<x<0.125. Показано, что зависимости R(V) в диапазонах концентрации электронов 2·1018=< n=< 7·1018 см-3 и температуры 4.2=< T=<295 K хорошо описываются теорией туннелирования, использующей самосогласованный расчет потенциала в области барьера Шоттки. Наблюдалась корневая зависимость проводимости G(V)=(dV/dI)-1 от напряжения смещения V в области нулевой аномалии в соответствии с теорией Альтшулера и Аронова для квантовых поправок к плотности состояний на уровне Ферми, связанных с особенностями электрон-электронного взаимодействия в разупорядоченных металлах.
  1. B.L. Altshuler, A.G. Aronov. Sol. St. Commun., 30, 115 (1979)
  2. Б.Л. Альтшулер, А.Г. Аронов. Письма ЖЭТФ, 37, 145 (1983)
  3. B.L. Altshuler, A.G. Aronov. In: Electron-Electron Interactions in Disordered Systems, ed. by A.L. Efros and M. Pollak (Elsevier Science Publishers. B.V., 1985) Ch. 1
  4. F.A. Padovani, R. Stratton. Sol. St. Electron., 9, 695 (1966)
  5. C.R. Crowell, V.L. Rideout. Sol. St. Electron., 12, 89 (1969)
  6. C.Y. Chang, S.M. Sze. Sol. St. Electron., 13, 727 (1970)
  7. V.L. Rideout, C.R. Crowell. Sol. St. Electron., 13, 993 (1970)
  8. Э.Х. Родерик. Контакты металл-полупроводник (М., Радио, 1982). [Пер. с англ.: E.H. Roderick. Metal-semiconductor contacts (Clarendon Press, Oxford, 1978)]
  9. М.Э. Райх, И.М. Рузин. ЖЭТФ, 92, 2257 (1987)
  10. М.Э. Райх, И.М. Рузин. ФТП, 21, 456 (1987)
  11. Т.А. Полянская, Х.Г. Нажмудинов. ФТП, 21, 1737 (1987)
  12. Ю.Ф. Бирюлин, В.Н. Каряев, И.Ю. Новикова, Т.А. Полянская, В.В. Чалдышев, Ю.В. Шмарцев. ФТП, 15, 2288 (1981)
  13. А.Я. Вуль, С.В. Кидалов. ФТП, 20, 451 (1986)
  14. И.Н. Котельников, Д.К. Чепиков, Е.Г. Чиркова, А.Я. Шульман. ФТП, 21, 1854 (1987)
  15. R. Stratton, F.A. Padovani. Sol. St. Electron, 10, 813 (1967)
  16. Л.В. Шаронова, Т.А. Полянская, Х.Г. Нажмудинов, В.Н. Каряев, Л.А. Зайцева. ФТП, 22, 93 (1988)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme