Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Немонотонный характер зависимости сопротивления пленок поликристаллического кремния от температуры роста

Шенгуров Д.В.¹, Павлов Д.А.¹, Шабанов В.Н.¹, Шенгуров В.Г.¹, Хохлов А.Ф.¹

¹Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Поступила в редакцию: 10 июня 1997 г.

Выставление онлайн: 19 апреля 1998 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовано влияние температуры подложки T_s на слоевое сопротивление R_s для пленок поликристаллического Si, полученных методом молекулярно-лучевого осаждения. Обнаружен немонотонный характер зависимости R_s от T_s для пленок, легированных разными примесями в процессе осаждения. Предложено объяснение полученным экспериментальным результатам на основе модифицированной модели Сетто.

M.K. Hatalis, D.M. Greve. IEEE Electron. Dev. Lett., EDL--8, 361 (1987)
Z. Shi, S.R. Wenham. Prog. Photovolt., 2, 153 (1994)
P.H.L. Rasky, D.W. Greve, M.H. Kryder, S. Dutta. J. Appl. Phys., 57, 4077 (1985)
Д.А. Павлов, В.Г. Шенгуров, Д.В. Шенгуров, А.Ф. Хохлов. ФТП, 29, 286 (1995)
N.K. Annamalai et al. Thin Sol. Films, 155, 97 (1987)
M. Matsui, Y. Shiraki, E. Maruyama. J. Appl. Phys., 53, 995 (1982)
В.П. Кузнецов, В.В. Постников, Т.Д. Комарова, Е.А. Розанова, Т.Н. Стрижева, Т.М. Зотова. Кристаллография, 20, 626 (1975)
J.Y.W. Setto. J. Appl. Phys., 46, 5247 (1975)
Поликристаллические полупроводники. Физические свойства и применения (М., Мир, 1989) с. 244. [Пер. с англ.: Polycrystalline Semiconductors. Physical Properties and Application, ed. by G. Harbeke (Berlin e. a., 1985)]
В.П. Кузнецов, В.В. Постников. Кристаллография, 19, 346 (1974)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель