Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Самоорганизующиеся наногетероструктуры в твердых растворах InGaAsP
Вавилова Л.С.1, Иванова А.В.1, Капитонов В.А.1, Мурашова А.В.1, Тарасов И.С.1, Арсентьев И.Н.1, Берт Н.А.1, Мусихин Ю.Г.1, Пихтин Н.А.1, Фалеев Н.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 15 декабря 1997 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1998 г.
Исследованы фотолюминесцентные и микрорентгеноструктурные свойства эпитаксиальных слоев твердых растворов InGaAsP, изопериодических с подложками InP (100) и GaAs (100), полученных в области несмешиваемости и спинодального распада. Показано хорошее согласие экспериментальных результатов с теоретической моделью спинодального распада. Определены границы области существования двух твердых фаз различного состава в эпитаксиальных слоях твердых растворов InGaAsP, изопериодических с подложками InP и GaAs. Получена периодическая наногетероструктура в эпитаксиальном слое твердых растворов InGaAsP с периодом повторения 650± 30 Angstrem в двух взаимно перпендикулярных направлениях.
- B. de Cremoux. J. Physique, 43, C5-19 (1982)
- G.B. Stringfellow. J. Cryst. Growth, 65, 454 (1983)
- И.П. Ипатова, В.Г. Малышкин, А.Ю. Маслов, В.А. Щукин. ФТП, 27, 285 (1993)
- I.P. Ipatova, V.G. Malyshin, V.A. Shchukin. J. Appl. Phys., 74, 7198 (1993)
- P. Henoc, A. Izrael, M. Quillec, H. Launois. Appl. Phys. Lett., 40, 963 (1982)
- O. Ueda, S. Isozumi, S. Komiya. Japan. J. Appl.Phys., 23, L241 (1984)
- A.G. Norman, G.R. Booker. J. Appl. Phys., 57, 4715 (1985)
- N.G. Chu, S. Nakahara, K.E. Strege, W.D. Johnston. J. Appl. Phys., 57, 4610 (1985)
- P. Roura, J. Bosch, S.A. Clark, F. Peiro, A. Cornet, J.R. Morante, R.H. Williams. Semicond. Sci. Technol., 11, 1310 (1996)
- С.К. Максимов, Л.А. Бондаренко, А.С. Петров, В.В. Кузнецов. ФТТ 24, 2, 628 (1982)
- E. Kuphal. J. Cryst. Growth, 67, 441 (1984)
- N.A. Bert, A.I. Gorelenok, A.G. Dzigasov, S.G. Konnikov, T.B. Popova, I.S. Tarasov, V.K. Tibilov. J. Cryst. Growth., 52, 716 (1981)
- М.А. Иванов, Ю.В. Ильин, Н.Д. Ильинская, Ю.А. Корсакова, А.Ю. Лешко, А.В. Лунев, А.В. Лютецкий, А.В. Мурашова, Н.А. Пихтин, И.С. Тарасов. Письма ЖТФ, 21, 70 (1995)
- R.J. Nelson. Appl. Phys. Lett., 35, 654 (1979)
- Ж.И. Алфёров, И.Н. Арсентьев, Л.С. Вавалова, Д.З. Гарбузов, В.В. Красовский, А.В. Тикунов, В.П. Чалый. ФТП, 19, 1115 (1985)
- И.С. Тарасов, Н.А. Пихтин, А.В. Мурашова, А.В. Лютецкий, А.Ю. Лешко, М.А. Иванов, Н.А. Берт, Ж.И. Алфёров. 2-я Рос. конф. по физике полупроводников РКФП'96 (Зеленогорск, 26 февраля--1 марта 1996). т. 1. с. 40
- I.S. Tarasov, L.S. Vavilova, N.I. Katsavets, A.V. Lyutetskiy, A.V. Murashova, N.A. Pikhtin, N.A. Bert, Zh.I. Alferov. Abstracts Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology (St. Petersburg, Russia, 24--28 June 1996) p. 362
- I.S. Tarasov, L.S. Vavilova, I.P. Ipatova, A.V. Lyutetskiy, A.V. Murashova, N.A. Pikhtin, V.A. Shchukin, Zh.I. Alferov. Proc. 23rd Int. Symp. Compound Semiconductors ISCS-23 (St. Petersburg, Russia, 23--27 September 1996) p. 117
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
