Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Исследование влияния сильного электрического поля на электропроводность монокристалла MnGaInS4 : Eu
1Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан 
Поступила в редакцию: 19 июня 1997 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1998 г.
Приводятся результаты исследования влияния сильного электрического поля на электрические свойства монокристаллов MnGaInS4 : Eu. Соединение получено методом Бриджмена и представляет собой плоскопараллельные слоистые пластинки. На основе проведенных исследований определены следующие параметры: концентрация ловушечных уровней 1013/1014 см-3, энергия активации 0.70/0.50 эВ. Установлено, что в сильных электрических полях возрастание электропроводности MnGaInS4 : Eu происходит в основном за счет роста концентрации носителей тока с ростом электрического поля.
- Э.Н. Нагаев. Физика магнитных полупроводников (М., Наука, 1979)
- C. Batistoni, L. Gastaldi, G. Mattogno, M.G. Simeone, S. Viticoli. Sol. St. Commun., 61, N 1, 43 (1987)
- Н.Н. Нифтиев, А.Г. Рустамов, О.Б. Тагиев. ФТП, 27, вып. 3, 386 (1993)
- А. Милнс. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках (М., Мир, 1977)
- Н.С. Грушко, Л.А. Герасименко, Т.И. Гоглидзе. В сб.: Физика полупроводников и диэлектриков (Кишинев, Штиинца, 1992) с. 83
- Я.И. Френкель. ЖЭТФ, 8, вып. 12, 1292 (1938)
- Б.Г. Тагиев, О.Б. Тагиев, Н.Н. Мусаева. ФТП, 29, вып. 8, 1403 (1995)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
