О температурной и полевой зависимости эффективной поверхностной подвижности в МДП структурах
Гергель В.А.1, Тимофеев М.В.1, Зеленый А.П.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
Поступила в редакцию: 13 января 1998 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1998 г.
Построена физическая модель, устанавливающая связь между поверхностной плотностью свободного электронного заряда инверсионного слоя и поверхностной концентрацией неподвижных (локализованных) электронов, захваченных поверхностными состояниями границы раздела полупроводник-диэлектрик. Установлено, что при не слишком низких температурах эта связь близка к прямой пропорциональности. При этом наличие поверхностных состояний, локализующих часть поверхностного электронного заряда, проявляется как уменьшение эффективной подвижности электронов в канале МДП транзистора. Известное уменьшение поверхностной подвижности с ростом поперечного электрического поля трактуется как следствие полевых изменений положения уровня протекания, отделяющего связанные электронные состояния от свободных.
- В. Гергель, Г. Шпатаковская. ЖЭТФ, 102, вып. 2(8), 640 (1992)
- В. Гергель, Г. Шпатаковская. ФТП, 27, 923 (1993)
- В. Гергель, Р. Сурис. ЖЭТФ, 84, 719 (1983)
- В. Гергель. ФТП, 17, 637 (1983)
- С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)
- A. Sabnis, J. Clemens. In: IEEE Tech. Dig. Int. Electron. Dev. Meet. (1979) p. 18
- Б. Шкловский, А. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук