Вышедшие номера
О температурной и полевой зависимости эффективной поверхностной подвижности в МДП структурах
Гергель В.А.1, Тимофеев М.В.1, Зеленый А.П.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
Поступила в редакцию: 13 января 1998 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1998 г.

Построена физическая модель, устанавливающая связь между поверхностной плотностью свободного электронного заряда инверсионного слоя и поверхностной концентрацией неподвижных (локализованных) электронов, захваченных поверхностными состояниями границы раздела полупроводник-диэлектрик. Установлено, что при не слишком низких температурах эта связь близка к прямой пропорциональности. При этом наличие поверхностных состояний, локализующих часть поверхностного электронного заряда, проявляется как уменьшение эффективной подвижности электронов в канале МДП транзистора. Известное уменьшение поверхностной подвижности с ростом поперечного электрического поля трактуется как следствие полевых изменений положения уровня протекания, отделяющего связанные электронные состояния от свободных.