Вышедшие номера
Дефекты, ближний и средний порядок в структурной сетке аморфного гидрированного кремния
Голикова О.А.1, Кудоярова В.Х.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 4 ноября 1997 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1998 г.

Исследовано влияние дефектов (оборванных связей Si-Si), образованных в процессе осаждения пленок a-Si : H методом тлеющего разряда, при его легировании бором а также фотоиндуцированных, на изменения ближнего и среднего порядка в структурной сетке. Показано, что при постоянной концентрации дефектов ND=const заряженные дефекты значительно сильнее влияют на структуру a-Si : H, чем нейтральные.