Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Физические свойства монокристаллов твердых растворов Cu_xAg_1-xIn₅S₈ и поверхностно-барьерных структур на их основе

Боднарь И.В.¹, Кудрицкая Е.А.¹, Полушина И.К.², Рудь В.Ю.², Рудь Ю.В.²

¹Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics, Minsk, Belarus

Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics, Minsk, Belarus

²Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 27 ноября 1997 г.

Выставление онлайн: 20 августа 1998 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

На монокристаллах тройных соединений CuIn₅S₈, AgIn₅S₈ и их твердых растворов исследованы электрические свойства, спектры фотолюминисценции. Определены: тип проводимости, подвижность, концентрации носителей заряда и энергии излучательных переходов в этих материалах. На основе монокристаллов изготовлены поверхностно-барьерные структуры и измерена вольтовая фоточувствительность.

К. Чопра, С. Дас. Тонкопленочные солнечные элементы (М., Мир, 1986)
Ю.В. Рудь, З.А. Паримбеков. ЖТФ, 54, 2253 (1984)
M.Robbins, M.A. Miksovsky. Mater. Res. Bull., 6, 359 (1971)
C. Paorici, L. Zanotti, N. Romeo, G. Sberveglieri, L. Tarricone. Mater. Res. Bull., 12, 1207 (1977)
A. Usujima, S. Takeuchi, S. Endo, T. Trie. Japan J. Appl. Phys., 20, 505 (1981)
Н.А. Горюнова. Химия алмазоподобных полупроводников (Л., ЛГУ, 1963)
Ф.П. Кесаманлы, Ю.В. Рудь. ФТП, 27, 1761 (1993)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель