Вышедшие номера
Влияние поверхностной концентрации квантовых точек в активной области на характеристики инжекционных лазеров
Ковш А.Р.1, Жуков А.Е.1, Егоров А.Ю.1, Устинов В.М.1, Шерняков Ю.М.1, Максимов М.В.1, Цацульников А.Ф.1, Воловик Б.В.1, Лунев А.В.1, Леденцов Н.Н.1, Копьев П.С.1, Алфёров Ж.И.1, Бимберг Д.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Institut fur Festkorperphysik, Technische Universitat Berlin, Berlin, Germany
Поступила в редакцию: 23 марта 1998 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1998 г.

Предложен новый метод, позволяющий увеличить поверхностную плотность полупроводниковых квантовых точек, формируемых молекулярно-пучковой эпитаксией на основе эффектов самоорганизации. Проведен сравнительный анализ характеристик инжекционных лазеров на основе массивов квантовых точек с различной поверхностной плотностью. Показано, что использование более плотного массива квантовых точек позволяет значительно снизить пороговую плотность тока в области больших потерь, увеличить максимальное усиление, а также максимальную мощность выходного излучения.