Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Эффекты ограничения заряда эмиссии в GaAs-фотокатодах при высоких интенсивностях оптического возбуждения
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 21 апреля 1998 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1998 г.
В рамках нелинейной диффузионной модели рассмотрены стационарные характеристики фотокатода и характерные времена переходных процессов при мгновенном включении и выключении освещения в условиях высокой интенсивности возбуждения, с учетом зависимости параметров приповерхностного слоя от фотонапряжения. Для стационарного случая получены аналитические зависимости квантового выхода от фотонапряжения и интенсивности излучения. Найдено критическое значение интенсивности освещения, соответствующей переходу в режим ограничения заряда эмиссии. Показано, что время выхода на стационарный режим зависит от величины установившегося фотонапряжения на барьере и определяется в основном временем установления равновесия между потоками электронов и дырок на поверхностные центры рекомбинации. При больших интенсивностях освещения время установления обратно пропорционально интенсивности освещения, что приводит при интенсивностях, соответствующих полному запиранию катода, к ограничению заряда эмиссии. Время релаксации фотонапряжения может достигать микросекунд. Сравнение результатов расчета зависимости квантового выхода от фотонапряжения с экспериментом позволяет восстановить зависимость туннельной прозрачности активационного слоя от фотонапряжения.
- D.T. Pierce. In: Experimental Methods in Atomic, Molecular and Optical Physics: Charged Particles, v. 29A, ser. Experimental Methods in the Physical Sciences, ed. by F.B. Dunning and R.G. Hulet (Academic Press, 1995) p. 1
- K. Abe et al. Phys. Rev. Lett., 75, 4173 (1995)
- H.C. Siegmann. J. Phys.: Condens. Matter., 4, 8395 (1992)
- J.E. Scneider, A.W. Baum, G.I. Winograd et al. J. Vac. Sci. Technol. B, 14, 3782 (1996)
- A.S. Jaroshevich, M.A. Kirillov, D.A. Orlow, A.G. Paulish, H.E. Sheibler, A.S. Terechov. In: Proc. 7th Int. Workshop on Polarized Gas Targets and Polarized Beams (Urbana, 1997), p. 232
- H. Tang, R.K. Alley, H. Aoyagy, J.E. Clendenin et al. SLAC-PUB-6515 (1994)
- Y.B. Bolkovityaninov, A.M. Gilinsky, C.W. de Jager et al. In: Proc. 12th Int. Symp. on High-Energy Spin Physics ed. by C.D.W. de Jager et al. (Word Scientific, Singapore, 1997) p. 700
- A. Herrera-Gomez, G. Vergara, W.E. Spicer. J. Appl. Phys., 79, 7318 (1996)
- Э.Л. Нолле. ФТТ, 31 (11), 225 (1989)
- L.G. Gerchikov, B.D. Oskotskii, A.V. Subashiev, In: Proc. 12th Int. Symp. High-Energy Spin Physics, ed. by C.W. de Jager, T.J. Ketel, P.J. Mulders et al. (World Scientific, Singapore, 1997) p. 746
- W.E. Spicer. Phys. Rev., 112, 114 (1958)
- Б.И. Резников, Г.В. Царенков. ФТП, 25, 1922 (1991)
- C. Herman, H.-J. Drouhin, G. Lampel, Y. Lassailly, D. Paget, J. Peretti, R. Houdre, F. Ciccacci, H. Riehert. In: Spectroscopy of Nonequilibrium Electrons and Phonons, ed. by C.V. Shank and B.P. Zakharchenya (Elseiver Science, B.V., 1992) p. 135
- A.S. Terekhov, D.A. Orlov. Proc. SPIE, 2550, 157 (1995)
- В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1977)
- С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)
- C.Y. Chang, S.M. Sze. Sol. St. Electron., 13, 727 (1970)
- B.D. Oskotskij, A.V. Subashiev, Yu.A. Mamaev. Phys. Low-Dim. Structur., 1/2, 77 (1997)
- А. Милнс. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках (М., Мир, 1977)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
