Вышедшие номера
Релаксация фотоиндуцированных метастабильных состояний в пленках a-Si:H, выращенных при высоких температурах
Курова И.А.1, Ормонт Н.Н.1, Голикова О.А.2, Казанин М.М.2
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 10 апреля 1998 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1998 г.

Приведены результаты исследования кинетики темновой проводимости пленок a-Si:H, полученных при температурах Ts=300/390oC, после кратковременной засветки и в процессе длительной засветки. Получены данные о релаксации фотоиндуцированных метастабильных состояний, связанных с положением равновесного уровня Ферми.