Релаксация фотоиндуцированных метастабильных состояний в пленках a-Si:H, выращенных при высоких температурах
Курова И.А.1, Ормонт Н.Н.1, Голикова О.А.2, Казанин М.М.2
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 10 апреля 1998 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1998 г.
Приведены результаты исследования кинетики темновой проводимости пленок a-Si:H, полученных при температурах Ts=300/390oC, после кратковременной засветки и в процессе длительной засветки. Получены данные о релаксации фотоиндуцированных метастабильных состояний, связанных с положением равновесного уровня Ферми.
- M. Stutzmann, W.B. Jackson, C.C. Tsai. Phys. Rev. B, 32, 23 (1985)
- R.S. Crandal. Phys. Rev. B, 43, 4057 (1991)
- N. Nata, A. Matsuda. J. Non-Cryst. Sol., 164--166, 231 (1993)
- D. Caputo, G. De Cesare, F. Irrera et al. J. Non-Cryst. Sol., 170, 278 (1994)
- О.А. Голикова. ФТП, 25, 517 (1991)
- J.K. Ratl, W. Fuhs, H. Mell. J. Non-Cryst. Sol., 137--138, 279 (1991)
- И.А. Курова, Э.В. Ларина, Н.Н. Ормонт, Д.В. Сенашенко. ФТП, 31, 1455 (1997)
- И.А. Курова, Н.Н. Ормонт, О.А. Голикова, В.Х. Кудоярова. ФТП, 31, 536 (1997)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
