Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Молекулярно-пучковая эпитаксия переменно-напряженных многослойных гетероструктур для сине-зеленых лазеров на основе ZnSe
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Институт физики университета г. Вюрцбурга, Германия
2Институт физики университета г. Вюрцбурга, Германия
Поступила в редакцию: 20 мая 1998 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1998 г.
Для получения высококачественных гетероструктур на основе ZnSe методом молекулярно-пучковой эпитаксии предложен режим управления молекулярными потоками, не требующий остановок роста на интерфейсах и реализующий концепцию компенсации разнополярных напряжений. С использованием разработанного метода выращены и исследованы лазерные структуры для оптической накачки, содержащие ZnSSe / ZnCdSe-короткопериодные сверхрешетки или множественные квантовые ямы. Применимость метода показана также для роста гетерострукутр, включающих халькогениды бериллия и содержащих их тройные твердые растворы. Продемонстрирована генерация при 300 K лазерного диода с BeZnSe / ZnSe-сверхрешеткой, используемой в качестве волноводной области.
- S. Nakamura, M. Senoh, S. Hagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, Y. Sugimoto, H. Kiyoku. Appl. Phys. Lett., 70, 1417 (1997)
- S. Taniguchi, T. Hino, S. Itoh, K. Nakano, N. Nakayama, A. Ishibashi, M. Ikeda. Electron. Lett., 32, 552 (1996)
- J.M. Gaines, R.R. Drenten, K.W. Haberern, T. Marshell, D. Mensz, J.Petruzzello. Appl. Phys. Lett., 62, 2462 (1993)
- A. Waag, F. Fischer, K. Schull, T. Baron, H.-J. Lugauer, Th. Litz, U. Zehnder, W. Ossau, T. Gerhardt, M. Keim, G. Reuscher, G. Landwehr. Appl. Phys. Lett., 70, 1 (1997)
- E.S. Oh, S.D. Lee, H.D. Jung, J.R. Kim, M.D. Kim, B.J. Kim, J.K. Ji, H.S. Park, T.I. Kim, S.V. Ivanov, A.A. Toropov, T.V. Shubina. J. Appl. Phys., 80, 5951 (1996)
- S.V. Ivanov, S.V. Sorokin, P.S. Kop'ev, J.R. Kim, H.D. Jung, H.S. Park. J. Cryst. Growth, 159, 16 (1996)
- T.V. Shubina, S.V. Ivanov, A.A. Toropov, G.N. Aliev, M.G. Tkatchman, S.V. Sorokin, N.D. Il'inskaya, P.S. Kop'ev. J. Cryst. Growth, 184/185, 596 (1998)
- D.C. Houghton, M. Davies, M. Dion. Appl. Phys. Lett., 64, 505 (1994)
- B.J. Wu, L.H. Kuo, J.M. DePuydt, G.M. Haugen, M.A. Haase, L. Salamanca--Riba. Appl. Phys. Lett., 68, 379 (1996)
- J.W. Matthews, A.S. Blakeslee. J. Cryst. Growth, 27, 118 (1974)
- R. People, J.C. Bean. Appl. Phys. Lett., 47, 322 (1985)
- A. Waag, Th. Litz, F. Fischer, H.-J. Lugauer, T. Baron, K. Schull, U. Zehnder, T. Gerhardt, U. Lunz, M. Keim, G. Reuscher, G. Landwehr. J. Cryst. Growth, 184/185, 1 (1998)
- S.V. Ivanov, R.N. Kyutt, G.N. Mosina, L.M. Sorokin, S.V. Sorokin, P.S. Kop'ev. Proc. 23rd Int. Symp. on Compound Semicond. (St. Petersburg, 1996) [Inst. Phys. Conf. Ser. No. 155: Chapter 3, p. 223]
- S. Sorokin, S. Ivanov, A. Toropov, T. Shubina, I. Sedova, M. Tkatchman, P. Kop'ev, Zh. Alferov. Proc. Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology (St. Petersburg, Russia, 1997) p. 206
- S.V. Ivanov, S.V. Sorokin, I.L. Krestnikov, N.N. Faleev, B.Ya. Ber, I.V. Sedova, P.S. Kop'ev. J. Cryst. Growth, 184/185, 70 (1998)
- A.A. Toropov, S.V. Inanov, T.V. Shubina, A.V. Lebedev, L.M. Sorokin, S.V. Sorokin, G.N. Aliev, M.G. Tkatchman, N.D. Il'inskaya, P.S. Kop'ev. Proc. Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology (St. Petersburg, Russia, 1997) p. 210
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
