Влияние индуцированных лазерным излучением дефектов на люминесценцию кристаллов InP
Баимбетов Ф.Б.1, Джумамухамбетов Н.Г.1
1Атырауский университет, Атырау, Казахстан
Поступила в редакцию: 29 января 1998 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1998 г.
Проведено сравнение экспериментальных данных по люминесценции модифицированных лазерным излучением кристаллов InP с теорией излучательной рекомбинации сильно легированных компенсированных полупроводников. Установлено, что наблюдаемая при 77 K полоса с максимумом 1.35 эВ обусловлена излучательными переходами через хвосты плотности состояний, которые образуются за счет хаотического распределения дефектов и примесей после лазерной обработки. Оценена эффективная глубина хвостов плотности состояний, которая оказалась равной 67 мэВ.
- Н.Г. Джумамухамбетов, А.Г. Дмитриев. ФТП, 27, 641 (1993)
- А.П. Леванюк, В.В. Осипов. УФН, 133, 427 (1981)
- Н.Г. Джумамухамбетов. Тез. VI Межнац. совещ. по радиационной физике твердого тела (МГИЭМ, 1996) с. 118
- А.Л. Эфрос. УФН, 111, 451 (1973)
- Н.Г. Джумамухамбетов. Физика и химия обраб. материалов, N 2, 121 (1997)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук