Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние гидрогенизации на свойства контактов металл-GaAs с барьером Шоттки
1Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов, Томск, Россия 
Поступила в редакцию: 29 августа 1997 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1998 г.
Проведены исследования влияния обработки атомарным водородом на свойства GaAs и на следующие характеристики контактов Au-GaAs с барьером Шоттки: показатель идеальности вольт-амперной характеристики n, высота барьера varphib и обратное напряжение Vr при токе 10 мкА. При обработке водородом поверхность GaAs была свободной (образцы A-типа), либо защищалась тонким (~50 Angstrem) слоем SiO2 (образцы B-типа). Показано, что для образцов A-типа существует оптимальный режим обработки (температура 150-250oC, длительность порядка 5 мин), при котором значения n и Vr достигают соответственно минимума и максимума. Для образцов B-типа значения n и Vr улучшаются, начиная с минимальных длительностей и температур обработки, и сохраняются, либо улучшаются во всем исследованном интервале температур (100-400oC) и длительностей (1-50 мин). Процессы пассивации примеси при этом протекают в тех и других образцах примерно одинаково.
- S.J. Pearton. J. Electron. Mater., 14a, 737 (1985)
- Э.М. Омельяновский, А.Я. Поляков. Высокочистые вещества, N 5, 5 (1988)
- J. Chevallier, M. Aucouturier. Ann. Rev. Mater. Sci., 18, 219 (1988)
- R.P.H. Chang, S. Darack. Appl. Phys. Lett., 38, 989 (1981)
- J.A. Schaefer, V. Persch, S. Stock, Th. Allinger, A. Goldman. Europhys. Lett., 12, 563 (1990)
- Z. Lu, M.T. Schmidt, D. Chen, R.M. Osgood, Jr., W.M. Holber, D.V. Podlesnik, J. Forster. Appl. Phys. Lett., 58, 143 (1991)
- N. Watanabe, T. Nittono, H. Ito, N. Kondo, Y. Nanishi. J. Appl. Phys., 73, 8146 (1993)
- J.I. Pankove, M.A. Lampert, M.L. Tarng. Appl. Phys. Lett., 32, 439 (1978)
- J.I. Pankove, M.L. Tarng. Appl. Phys. Lett., 34, 156 (1979)
- S.J. Pearton, E.E. Haller, A.G. Elliot. Appl. Phys. Lett., 44, 684 (1984)
- C.H. Seager, D.S. Ginley, J.D. Zook. Appl. Phys. Lett., 36, 831 (1980)
- J.I. Hanoka, C.H. Seager, D.J. Sharp, J.K.G. Panitz. Appl. Phyhs. Lett., 42, 618 (1983)
- A. Paccagnella. A. Callegari, E. Latta, M. Gasser. Appl. Phys. Lett., 55, 259 (1989)
- U.K. Chakrabarti, S.J. Pearton, W.S. Hobson, J. Lopata, V. Swaminathan. Appl. Phys. Lett., 57, 887 (1990)
- В.В. Аристов, С.В. Ковешников, С.В. Носенко, Е.Б. Якимов, А.М. Сурма. Микроэлектроника, 24, N 3, 198 (1995)
- В.А. Кагадей, О.Е. Троян, Д.И. Проскуровский. Заявка на изобретение N 93026207/07 (025856) от 07.05.93
- L.M. Weelels, T. Saitoh, H. Kanbe. Appl. Phys. Lett., 66, 2870 (1995)
- S. Balasubramanian, V. Rumar, N. Balasubramanian. Appl. Phys. Lett., 64, 1696 (1994)
- С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 1
- W.C. Dautremont Smith, J. Chevallier, C.W. Tu, J.C. Nabity, V. Swaminathan, N. Stavola, S.J. Pearton. J. Appl. Phys. Lett., 49, 1098 (1986)
- Y.G. Wang, S. Ashok. J. Appl. Phys., 75, 2447 (1994)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
