Исследованы спектры фотолюминесценции слоев SiO₂, имплантированных суммарными дозами 1.6· 10¹⁶, 4· 10¹⁶ и 1.6· 10¹⁷ см^-2 ионов Si и затем отожженных в стационарном (30 мин) и импульсном (1 с и 20 мс) режимах. Структурные изменения контролировались высокоразрешающей электронной микроскопией и комбинационным рассеянием. Обнаружено, что при снижении дозы с 4· 10¹⁶ см^-2 до 1.6· 10¹⁶ см^-2 перестают формироваться центры слабой фотолюминесценции видимого диапазона, а также теряется возможность сформировать последующими отжигами нанокристаллы Si и получить сильную фотолюминесценцию в красной-ИК области. Отжигу после больших доз присущи стадии роста фотолюминесценции (до -700^oC), ее гашения при 800/ 900^oC и возникновения очень интенсивной полосы фотолюминесценции вблизи 820 нм (более 900^oC). Последней стадии соответствует появление нанокристаллов Si. Дозовая зависимость объяснена потерей возможности вытесняемых из SiO₂ избыточных атомов Si взаимодействовать между собой с образованием перколяционных кластеров. Особенности отжигов обусловлены при слабых нагревах доминированием перколяционных кластеров Si, а выше ~ 700^oC - трансформацией этих кластеров в фазовые выделения, не дающие фотолюминесценции. При температуре выше 900^oC образующиеся нанокристаллы Si дают интенсивную полосу фотолюминесценции благодаря квантово-размерному эффекту. Различие в скоростях перколяции и превращения кластеров в фазовые выделения влияет на преципитацию кремния при комбинированных отжигах.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.