Вышедшие номера
Кинетика накопления радиационных дефектов при глубоком электронном облучении сплавов Pb1-xSnxSe
Скипетров Е.П.1, Ковалев Б.Б.1, Скипетрова Л.А.1, Зверева Е.А.1
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
Поступила в редакцию: 7 апреля 1998 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1998 г.

Исследована кинетика изменения концентрации электронов в облученных электронами (T~ 300 K, E=6 МэВ, Phi=< 7.1·1017 см-2) сплавах n-Pb1-xSnxSe (x=0.2, 0.25) в окрестности перехода металл-диэлектрик, индуцированного электронным облучением. Путем сравнения экспериментальных и теоретических зависимостей концентрации электронов от потока облучения определены основные параметры энергетического спектра облученных сплавов. Показано, что согласование теоретических и экспериментальных данных возможно лишь при введении предположения об уменьшении скорости генерации радиационных дефектов с ростом потока облучения, и предложена модель, согласно которой основным механизмом дефектообразования в исследованных сплавах является образование комплексов первичных радиационных дефектов со структурными дефектами, характерными для исходных кристаллов.