Вышедшие номера
Эффект Фано в спектрах магнитопоглощения арсенида галлия
Василенко Д.В.1, Лукьянова Н.В.1, Сейсян Р.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 26 марта 1998 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1998 г.

Исследовались спектры магнитооптического поглощения высококачественных гомоэпитаксиальных слоев GaAs при магнитном поле B до 7.5 Тл и T=1.7 K. Показано участие эффекта Фано в формировании некоторых линий магнитоооптического спектра. Определены параметры феноменологической функции Фано. Показана существенная роль в рассматриваемых процессах поляритонных эффектов диамагнитного экситона.