Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Эффект Фано в спектрах магнитопоглощения арсенида галлия

Василенко Д.В.¹, Лукьянова Н.В.¹, Сейсян Р.П.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 26 марта 1998 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 1998 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовались спектры магнитооптического поглощения высококачественных гомоэпитаксиальных слоев GaAs при магнитном поле B до 7.5 Тл и T=1.7 K. Показано участие эффекта Фано в формировании некоторых линий магнитоооптического спектра. Определены параметры феноменологической функции Фано. Показана существенная роль в рассматриваемых процессах поляритонных эффектов диамагнитного экситона.

R.P. Seisyan, B.P. Zakharchenya. In: Landay Level Spectroscopy, Ed. by E.I. Rashba and G. Landwehr (North--Holland, 1991) p. 345
Л.М. Канская, С.И. Кохановский, Р.П. Сейсян, Ал.Л. Эфрос. ФТП, 15, 1854 (1981)
С.И. Кохановский, Ю.М. Макушенко, Р.П. Сейсян, Ал.Л. Эфрос, Т.В. Язева, М.А. Абдуллаев. ФТТ, 13, 1719 (1991)
Р.П. Сейсян, М.А. Абдуллаев, Б.П. Захарченя. ФТП, 7, 957 (1973)
Р.П. Сейсян. Спектроскопия диамагнитных экситонов (М., Наука, 1984)
Б.С. Монозон, Р.П. Сейсян, В.И. Карпов, ФТП, 9, 1839 (1975); Б.С. Монозон. ФТТ, 18, 475 (1976)
S. Glutsch, U. Seigner, M.-A. Mycek, D.S. Chemla. Phys. Rev., 50, 170 (1994)
V.A. Kosobukin, R.P. Seisyan, S.A. Vaganov. Semicond. Sci. Technol. 8,1235 (1993)
G.N. Aliev, N.V. Luk'yanova, R.P. Seisyan, M.R. Vladimirova, H. Gibbs, G. Khitrova. Phys. St. Sol. (a), 164, 193 (1993)
Л.П. Никитин, И.Б. Русанов, Р.П. Сейсян, Ал.Л. Эфрос, Т.В. Язева. ФТП, 16, 1377 (1982)
C.R. Pidgeon, R.N. Brown. Phys. Rev., 146, 575 (1966)
W. Becker, B. Gerlach, T. Hornung, R.G. Ulbrich. Proc. 18th Int. Conf. Phys. Semicond. (Stockholm, Sweden, 1996) v. 2, p. 1713
U. Fano. Phys. Rev., 124, 1866 (1961)
И.А. Меркулов. ЖЭТФ, 66, 2314 (1974)
Г.А. Алиев, О.С. Кощуг, А.И. Несвижский, Р.П. Сейсян, Т.В. Язева. ФТТ, 35, 1514 (1993)
V. Bellani, L. Vina, E. Perez, R. Hey, K. Ploog. Proc. 23d Int. Conf. Phys. Semicond. (Berlin, 1996) v. 1, p. 373
T. Hornung, PhD Thesis (University of Dortmund, 1984); U. Rossler, частное сообщение
G. Piao, R.A. Lewis, P. Fisher. Sol. St. Commun., 75, 835 (1990)
V. Bellani, E. Perez, S. Zimmermann, L. Vina, R. Hey, K. Ploog. Sol. St. Commun., 97, 459 (1996)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель