Исследование спектров фоточувствительности гетероперехода n-GaAs--As2Se3
Аржанухина И.П.1, Корнев К.П.1, Селезнев Ю.В.1
1Калининградский государственный университет, Калининград, Россия
Поступила в редакцию: 5 мая 1997 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1998 г.
Представлены результаты исследования спектральных характеристик фотоотклика гетеропереходов n-GaAs-аморфная пленка As2Se3 при разной толщине пленки халькогенидного стеклообразного полупроводника. Получены формулы для расчета: доли света, поглощенной в халькогенидном стеклообразном полупроводнике; доли света, поглощенной в GaAs при учете многократных отражений от границ раздела в исследованной структуре; а также их отношения. Проводятся анализ поглощения света в структуре и модель формирования фотоотклика гетероструктуры. Показано хорошее соответствие экспериментальных и расчетных данных.
- Л. Милнс, Д. Фойхт. Гетеропереходы и переходы металл--полупроводник (М., 1975) с. 12
- А.В. Аншон, И.А. Карпович, А.А. Сафронов. Изв. вузов. Физика, 29, N 8, 112 (1986)
- V. Venkataraman. Curr. Sci. (India), 67, N 11, 855 (1994)
- М.А. Иову, М.С. Иову, А.А. Симашкевич, Д.И. Циуляну, С.Д. Шутов. Матер. конф. "Аморфные полупроводники--80" (Кишинев, 1980) с. 120
- A.M. Andriesh, E.A. Akimova, V.V. Bivol, E.G. Khancevskaya, M.S. Iovu, S.A. Malkov, V.I. Verlan. Int. J. Electron., 77, N 3, 339 (1904)
- К.П. Корнев. Деп. ВИНИТИ 1986. N8021--B8
- А.С. Кочемировский, К.П. Корнев. Тез. докл. Всес. конф. "Стеклообразные полупроводники" (Л., 1985) с. 80
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук