Вышедшие номера
Пленки аморфного гидрированного кремния с повышенной фоточувствительностью
Голикова О.А.1, Казанин М.М.1
1Физико-техничекий институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 10 апреля 1998 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1998 г.

Исследованы пленки a-Si : H с фоточувствительностью до 106, повышенной по сравнению с фоточувствительностью "стандартного" a-Si : H на 2 порядка. Пленки имели энергию активации темновой проводимости (sigmad) Delta E=0.85/ 1.1 эВ. Фотопроводимость sigmaph измерялась при скорости генерации фотоносителей 1019 см-3· c-1, энергии квантов varepsilon=2 эВ. Установлен ряд особенностей поведения sigmaph и и sigmad в зависимости от Delta E, а таже особенности спектральной характеристики и кинетики спада sigmaph при длительной засветке. Сделано заключение о перспективности использования исследованного материала в фотовольтаических приборах.