Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 1999, выпуск 2 » Статья стр. 129
>>>
Центры с глубокими уровнями в карбиде кремния О б з о р
Лебедев А.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 2 марта 1998 г.
Выставление онлайн: 20 января 1999 г.
PDF версия
Анализируются полученные к настоящему времени результаты по исследованию параметров глубоких центров в 6H- 4H- и 3C-SiC. Приведены данные по энергиям ионизации и сечениям захвата центров как образующихся при легировании SiC различными типами примеси или в процессе облучения, так и собственных дефектов. Рассмотрено участие обнаруженных центров в процессах излучательной и безызлучательной рекомбинации. Проведенный анализ литературных источников показывает значительное влияние, которое собственные дефекты кристаллической решетки SiC оказывают как на формирование глубоких центров, так и на свойства самих эпитаксиальных слоев - уровень их легирования и политипную однородность.
  1. E.G. Acheson. Chem. News, 68, 179 (1893)
  2. G. Pensl, R. Helbig. In: Advances in Solid State Physics, ed. by V. Rossler (Viemeg, Braunschweig, 1990)
  3. N.J. Round. Electrical World, 30, 309 (1907)
  4. О.В. Лосев. ЖТФ, 1, 718 (1931)
  5. J.A. Lely. Ber. Dt. Keram. Ges., 32, 229 (1955)
  6. Yu.A. Vodakov, E.N. Mokhov, M.G. Ramm, A.O. Roenkov. Krist and Tecnik., 14, 729 (1979)
  7. Yu.M. Tairov, V.F. Tsvetkov. J. Cryst. Growth, 43, 209 (1978)
  8. Ю.М. Таиров, В.Ф. Цветков. В сб.: Проблемы физики и технологии широкозонных полупроводников (Л., 1980) с. 122
  9. S. Nishino, J. Powell, N.A. Will. Appl. Phys. Lett., 42, 460 (1983)
  10. H.S. Kong, J.T. Glass, R.F. Davis. Appl. Phys. Lett., 64, 2672 (1988)
  11. J.A. Edmond, H.S. Kong, C.H. Carter. Physica B, 185, 453 (1993)
  12. J.W. Palmer, J.A. Edmond, H.S. Kong, C.H. Carter. Physica B, 185, 461 (1993)
  13. B.M. Brown, M. Chezzo, J. Kretchmen, V. Krishmuthy, G. Michon. Transactions Second Int. High Temp. Electron. Conf. (Sharlotte, NC, USA, 1994) V. 1. p. XI--17
  14. А. Верма, П. Кришна. Политипизм и полиморфизм в кристаллах (М., Мир, 1969) с. 390
  15. L.S. Ramsdell. Amer. Mineral, 32, 64 (1947)
  16. L. Patric. Phys. Rev., 127, 1878 (1962)
  17. R.G. Humphreys, D. Bimberg, W.J. Choyke. Sol. St. Commun., 39, 163 (1981)
  18. Г.Б. Дубровский. ФТТ, 13, 2505 (1971)
  19. G.B. Dubrovskii, A.A. Lepeneva, E.I. Radovanova. Phys. St. Sol. (b), 57, 423 (1973)
  20. E. Bindermann. Sol. St. Commun., 3, 343 (1965)
  21. Г.Б. Дубровский, Е.И. Радованова. ФТТ, 11, 680 (1969)
  22. W.R.L. Lambrecht, S. Limpijumuong, B. Segall. Inst. Phys. Conf. Ser. 142, 263 (1996)
  23. W.R.L. Lambrecht, S.N. Rachkeev. Abstracts Int. Conf. on SiC, III Nitrides and Related Materials (Stoсkholm, Sweden, 1997) p. 263
  24. Л.С. Берман, А.А. Лебедев. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках (Л., Наука, 1981)
  25. M.V. Rao, J. Gardner, O.W. Holland, G. Kelner, M. Chezzo, D.S. Simons, P.H. Chi. Inst. Phys. Conf. Ser. 142, 521 (1996)
  26. H.H. Woodbery, G.W. Ludwig. Phys. Rev., 124, 1083 (1961)
  27. I. Ikeda, H. Matsunami, T. Tanaka. Phys. Rev. B, 22, 2842 (1980)
  28. А.В. Алексеенко, А.Г. Забродский, М.П. Тимофеев. Письма ЖТФ, 11, 1018 (1985)
  29. W. Suttrop, G. Pensl, W.J. Choyke, R. Steine, S. Leibenzeder. J. Appl. Phys., 72, 3708 (1992)
  30. W. Gotz, A. Schoner, G. Pensl, W. Suttrop, W.J. Choyke, R. Steine, S. Leibenzeder. J. Appl. Phys., 73, 3332 (1993)
  31. A.O. Euwarage, S.R. Smith, W.C. Mitchel. J. Appl. Phys., 79, 7726 (1996)
  32. Th. Troffer, W. Gotz, A. Schoner, G. Pensl, R.P. Devaty, W.J. Choyke. Inst. Phys. Conf. Ser. 137, 173 (1994)
  33. A.E. Nikolaev, I.P. Nikitina, V.A. Dmitriev. Inst. Phys. Conf. Ser. 142, 125 (1996)
  34. В.С. Вайнер, В.А. Ильин, В.А. Карачинов, Ю.М. Таиров. ФТТ, 28, 363 (1986)
  35. Ю.А. Водаков, Е.Н. Калабухова, С.Н. Лукин, А.А. Лепнева, Е.Н. Мохов, Б.Д. Шанина. ФТТ, 20, 448 (1978)
  36. P.J. Dean, R.L. Hartman. Phys. Rev. B, 5, 4911 (1972)
  37. Van H. Daal, W.F. Knippenberg, J.D. Wassher. J. Phys. Chem. Sol., 24, 109 (1963)
  38. Г.А. Ломакина, Ю.А. Водаков, Е.Н. Мохов, В.Г. Одинг, Г.Ф. Холуянов. ФТТ, 12, 2918 (1970)
  39. И.В. Кодрау, В.В. Макаров. ФТП, 11, 969 (1977)
  40. Е.Н. Мохов, М.М. Усманов, Г.Ф. Юлдашев, Б.С. Махмудов. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 20, 1383 (1984)
  41. A. Schoner, N. Nordell, K. Rottner, R. Helbig, G. Pensl. Inst. Phys. Conf. Ser. 142, 493 (1996)
  42. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. ФТП, 14, 486 (1980)
  43. М.М. Аникин, Н.И. Кузнецов, А.А. Лебедев, Н.С. Савкина, А.Л. Сыркин, В.Е. Челноков. ФТП, 28, 457 (1994)
  44. П.А. Иванов, Я.В. Морозенко, А.В. Суворов. ФТП, 19, 1430 (1985)
  45. N.I. Kuznetsov, A.S. Zubrilov. Mater. Sci. Eng. B, 29, 181 (1995)
  46. V. Heera, J. Pezold, X. Ning, P. Pirouz. Inst. Phys. Conf. Ser. 142, 509 (1996)
  47. L.L. Clemen, R.P. Devaty, W.J. Choyke, J.A. Powel, D.J. Larkin, J.A. Edmond, A.A. Burk. Inst. Phys. Conf. Ser. 137, 297 (1994)
  48. Ю.А. Водаков, Г.А. Ломакина, Е.Н. Мохов. ФТТ, 24, 1377 (1982)
  49. A.N. Andreev, M.M. Anikin, A.A. Lebedev, N.K. Poletaev, A.M. Strel'chuk, A.L. Surkin, V.E. Chelnokov. Inst. Phys. Conf. Ser. 137, 271 (1994).
  50. А.И. Вейнгер, Ю.А. Водаков, Ю. Кулев, Г.А. Ломакина, Е.Н. Мохов, В.Г. Одинг, В.И. Соколов. Письма ЖТФ, 6, 1319 (1980)
  51. V.S. Balandovich, E.N. Mokhov. Transactions Second Int. High Temp. Electron. Conf. (Charlotte NC, 5--10 USA, 1994) v. 2, p. 181
  52. Е.Э. Виолин, Г.Ф. Холуянов. ФТТ, 8, 3395 (1966)
  53. S. Ortolland, C. Raynaunld, J.P. Chante, M.L. Locatelli, A.N. Andreev, A.A. Lebedev, M.G. Rastegaeva, A.L. Syrkin, N.S. Savkina, V.E. Chelnokov. J. Appl. Phys., 80, 5464 (1996)
  54. А.А. Лебедев, А.Н. Андреев, А.А. Мальцев, М.Г. Растегаева, Н.С. Савкина, В.Е. Челноков. ФТП, 29, 1635 (1995)
  55. М.М. Аникин, А.А. Лебедев, А.Л. Сыркин, А.В. Суворов. ФТП, 19, 114 (1985)
  56. W. Suttrop, G. Pensl, P. Laning. Appl. Phys. A, 51, 231 (1991)
  57. M.M. Anikin, A.A. Lebedev, N.K. Poletaev, A.M. Strel'chuk, A.L. Surkin, V.E. Chelnokov, Inst. Phys. Conf. Ser. 137, Chapter 6, 605 (1994)
  58. А.А. Лебедев, Н.К. Полетаев. ФТП, 30, 427 (1996)
  59. А.О. Константинов. ФТП, 25, 1175 (1991)
  60. P.G. Baranov, E.N. Mokhov. Inst. Phys. Conf. Ser. 142, 293 (1996)
  61. T. Frank, T. Troffer, G. Pensl, N. Nordell, S. Karlson, A. Schoner. Abstracts Int. Conf. on SiC, III Nitrides and Related Materials (Stockholm, Sweden, 1997) p. 348
  62. S. Jang, T. Kimoto, H. Matsunami. Appl. Phys. Lett., 65, 581 (1994)
  63. M.S. Mazzola, S.E. Saddow, P.G. Neudeck, V.K. Lakdawala, S. We. Appl. Phys. Lett., 64, 2730 (1994)
  64. Yu.A. Vodakov, G.A. Lomakina, E.N. Mokhov, E.I. Radovanova, V.I. Sokolov, M.M. Usmanova, G.F. Yuldashev, B.S. Makhmudov. Phys. St. Sol. (a), 35, 37 (1976)
  65. T. Troffer, G. Pensl, A. Schoner, A. Henry, C. Hallin, O. Kordina, E. Janzen. Abstracts Int. Conf. on SiC, III Nitrides and Related Materials (Stockholm, Sweden, 1997) p. 601
  66. A. Henry, C. Hallin, I.G. Ivanov, J.P. Bergman, O. Kordina, E. Janzen. Inst. Phys. Conf. Ser. 142, 381 (1996)
  67. А.А. Лебедев, М.П. Щеглов, Т.В. Соколова. Письма ЖТФ, 21, 48 (1995)
  68. Ю.А. Водаков, Г.А. Ломакина, Е.Н. Мохов, В.Г. Одинг. ФТТ, 33, 3315 (1991)
  69. E.V. Violin, A.A. Kal'nin, V.V. Pasynkov, Yu.M. Tairov, D.A. Yas'kov. Mater. Res. Bull., 4, S231 (1969)
  70. Y. Zheng, N. Ramungul, R. Patel, V. Khemka, T.P. Chow. Abstracts Int. Conf. on SiC, III Nitrides and Related Materials (Stockholm, Sweden, 1997) p. 71
  71. П.Г. Баранов, Е.Н. Мохов. ФТТ, 38, 1446 (1996)
  72. A. Hofstaeffer, B.K. Mayer, A. Scharmann, P.G. Baranov, I.V. Liyn, E.N. Mokhov. Abstracts Int. Conf. on SiC, III Nitrides and Related Materials (Stockholm, Sweden, 1997) p. 294
  73. M.B. Scott, J.D. Scofield, Y.K. Yeo, R.L. Hengehold. Abstracts Int. Conf. on SiC, III Nitrides and Related Materials (Stockholm, Sweden, 1997) p. 389
  74. В.С. Балландович. ФТП, 25, 287 (1991)
  75. Х. Вахнер, Ю.М. Таиров. ФТТ, 11, 2440 (1969)
  76. Д.П. Литвин, А.А. Мальцев, А.В. Наумов, А.Д. Роенков, В.И. Санкин. Письма ЖТФ, 13, 1247 (1987)
  77. L.Patrick, W.J. Choyke. Phys. Rev. B, 10, 5091 (1974)
  78. A.W.C. Kemenade, S.H. Hagen. Sol. St. Commun., 14, 1331 (1974)
  79. K.M. Lee, Le.Si. Dang, G.B. Watkins, W.J. Choyke. Phys. Rev. B, 32, 2273 (1985)
  80. K. Maier, H.D. Muller, J. Schneider. Mater. Sci. Forum, 83--87, 1183 (1992)
  81. K. Maier, J. Schneider, W.Wilkening, S. Leibenzeder, R. Steine. Mater. Sci. Eng. B, 11, 27 (1992)
  82. T. Dalibor, G. Pensl, H. Matsunami, T. Kimoto, W.J. Choyke, A.Schoner, N. Nordel. Phys. St. Sol. (a), 162, 199 (1997)
  83. T. Dalibor, G. Pensl, N. Nordel, A. Schoner, W.J. Choyke. Abstracts Int. Conf. on SiC, III Nitrides and Related Materials (Stockholm, Sweden, 1997) p. 55
  84. J.M. Langer, H. Heinrich. Phys. Rev. Lett., 55, 1414 (1985)
  85. H.McD. Hobgood, R.C. Glass, A. Augustine, R.H. Hopkins, J. Jenny, M. Skowronski, W.C. Mitchel, M. Roth. Appl. Phys. Lett., 66, 1364 (1995)
  86. W.C. Mitchel, M.D. Roth, A.O. Evwaraye, P.W. Yu, S.R. Smith, J. Jenny, M. Skowronski, H.McD. Hodgood, R.C. Glass, G. Augustine, R.H. Hopkins. Inst. Phys. Conf. Ser. 142, 313 (1996)
  87. K.F. Dombrovskii, U. Kaufman, M. Hunzer. Appl. Phys. Lett., 65, 184 (1994)
  88. J. Schneider, H.D. Muller, K. Maier, W. Wilkening, F. Fuchs, A. Dornen, S. Leibenzader, S. Steine. Appl. Phys. Lett., 56, 1184 (1990)
  89. N. Achtziger, J. Grillenberg, W. Witthuhn. Abstracts Int. Conf. on SiC, III Nitrides and Related Materials (Stockholm, Sweden, 1997) p. 597
  90. St.G. Muller, D. Hofmann, A. Winnacker, E.N. Mokhov, Yu.A. Bodakov. Inst. Phys. Conf. Ser. 142, 361 (1996)
  91. Ю.А. Водаков, Г.А. Ломакина, Е.Н. Мохов, М.Г. Рамм, В.И. Соколов. ФТП, 20, 2153 (1986)
  92. N. Achtziger, W. Witthunh. Mater. Sci. Eng. B, 46, 333 (1997)
  93. M. Kuznser, K.F. Dombrovski, F. Fuchs, U. Kaufmann, J. Schneider, P.G. Baranov, E.N. Mokhov. Inst. Phys. Conf. Ser. 142, 385 (1996)
  94. M. Feege, S. Grenlich-Weber, J.-M. Spaeth. Semicond. Sci. Technol., 8, 1620 (1993)
  95. K. Abe, T. Ohsima, H. Iton, Y. Aoki, M. Yoshikawa, I. Nashiyama, M. Iwami. Abstracts Int. Conf. on SiC, III Nitrides and Related Materials (Stockholm, Sweden, 1997) p. 354
  96. Г.Ф. Холуянов, Ю.А. Водаков, Э.В. Виолин. ФТП, 5, 39 (1971)
  97. T. Dalibor, G. Pensl, T. Yamamoto, T. Kimoto, H. Matsunami, S. Sridhara, D.C. Nizher, R.P. Devaty, W.J. Choyke. Abstracts Int. Conf. on SiC, III Nitrides and Related Materials (Stockholm, Sweden, 1997) p. 599
  98. D. Alok, B.J. Baliga, M. Kothandaraman, P.K. McLarty. Inst. Phys. Conf. Ser. 142, 565 (1996)
  99. H. Ennen, J. Schnider, G. Pomrenke, A. Axmann. J. Appl. Phys. Lett., 43, 943 (1983)
  100. W.J. Choyke, R.P. Devaty, L.L. Clemen, M. Yoganathan, G. Pensl, Ch. Hassler. Appl. Phys. Lett., 65, 1668 (1994)
  101. K. Awahara, M. Kumagai. Abstracts Int. Conf. on SiC, III Nitrides and Related Materials (Stockholm, Sweden, 1997) p. 380.
  102. М.М. Аникин, А.А. Лебедев, И.В. Попов, А.Л. Сыркин, А.В. Суворов, Г.П. Шпынев. В сб.: Технология силовых полупроводниковых приборов (Таллин, Валгус, 1987) с. 19
  103. Н.И. Кузнецов, А.П. Дмитриев, А.С. Фурман. ФТП, 28, 1010 (1994)
  104. A.A. Lebedev. Abstracts Int. Conf. on SiC, III Nitrides and Related Materials (Stockholm, Sweden, 1997) p. 67
  105. N.I. Kuznetsov, J.A. Edmond. ФТП, 31, 1220 (1997)
  106. М.М. Аникин, А.А. Лебедев, А.А. Лебедев, А.Л. Сыркин, А.В. Суворов. ФТП, 20, 2169 (1986)
  107. М.М. Аникин, А.А. Лебедев, И.В. Попов, А.М. Стрельчук, А.Л. Сыркин, А.В. Суворов, В.Е. Челноков. ФТП, 20, 1654 (1986)
  108. А.А. Лебедев. Автореф. канд. дис. (Л., ФТИ, 1991)
  109. A.A. Lebedev, V.E. Chelnokov. Diamond films and Related Mater., 3, 1393 (1994)
  110. М.М. Аникин, Н.И. Кузнецов, А.А. Лебедев, Н.К. Полетаев, А.М. Стрельчук, А.Л. Сыркин, А.В. Суворов, В.Е. Челноков. ФТП, 28, 443 (1994)
  111. C.T. Sah, L. Forbes, L.L. Rossier, A.F. Tasch. Sol. St. Electron., 13, 759 (1970)
  112. А.Г. Кечек, Н.И. Кузнецов, А.А. Лебедев. ФТП, 21, 2228 (1987)
  113. E.N. Kolabukova, S.N. Lukin, E.N. Mokhov, J. Reinke, S. Greulich-Weber, J.-M. Spaeth. Inst. Phys. Conf. Ser. 142, 333 (1996)
  114. G.C. Rubicki. J. Appl. Phys., 78, 2996 (1995)
  115. М.М. Аникин, А.Н. Андреев, А.А. Лебедев, С.Н. Пятко, М.Г. Растегаева, Н.С. Савкина, А.М. Стрельчук, А.Л. Сыркин, В.Е. Челноков. ФТП, 25, 328 (1991)
  116. М.М. Аникин, А.С. Зубрилов, А.А. Лебедев, А.М. Стрельчук, А.Е. Черенков. ФТП, 25, 479 (1991)
  117. M.M. Anikin, A.A. Lebedev, A.L. Syrkin, A.V. Suvorov, A.M. Strel'chuk. Ext. Abstracts Electrochem. Soc. Mtg., 708 (1989)
  118. H. Zhang, G. Pensl, A. Dorner, S. Leibenzeder. Ext. Abstr. Electrochem. Soc. Mtg., 699 (1989)
  119. J.P. Doyle, M.O. Adoelfotoh, B.G. Svensson, A. Schoner, N. Nordel. Diamond and Related Mater., 1388 (1997)
  120. А.И. Вайнер, В.А. Ильин, Ю.М. Таиров, В.Ф. Цветков, ФТП, 15, 1557 (1981)
  121. М.М. Аникин, А.А. Лебедев, И.В. Попов, В.П. Растeгаев, А.М Стрельчук, А.Л. Сыркин, Ю.М. Таиров, В.Ф. Цветков, В.Е. Челноков. ФТП, 22, 298 (1988)
  122. N.T. Son, E. Sorman, W.M. Chen, O. Kordina, B. Monemar, E.Janzen. Appl. Phys. Lett., 65, 2687 (1994)
  123. T. Troffer, Ch. Habler, G. Pensl, K. Holzlein, H. Mitlehner, J. Volki. Inst. Phys. Conf. Ser. 142, 281 (1996)
  124. T. Dalibor, G. Pensl, T. Kimoto, H. Matsunami, S. Shidhara, P.P. Devaty, W.J. Choyke. Diamond and Related Mater., 6, 1333 (1997)
  125. A.A. Lebedev, A.N. Andreev, M.M. Anikin, M.G. Rastegaeva, N.S. Savkina, A.M. Strelchuk, A.L. Syrkin, A.S. Tregubova, V.E. Chelnokov. Proc. ISPSD'95 (Yokohama, Japan, 1995) p. 90
  126. P. Zhou, M.G. Spencer, G.L. Harris, K. Fekade. Appl. Phys. Lett., 50, 1384 (1987)
  127. K. Zakentes, M. Kayiambaki, G. Constantinidis. Appl. Phys., 66, 3015 (1995)
  128. V.S. Balandovich, G.N. Violina. Cryst. Latt. Def. and Amorph. Mater., 13, 189 (1987)
  129. H. Zhang, G. Pensl, P. Glasow, S. Leibenzeder. Ext. Abstracts Electrochem. Soc. Mtg., 714 (1989)
  130. C. Hemmingson, N.T. Son, O. Kordina, E. Janzen, J.L. Lindstrom, S. Savarge, N. Nordel. Mater. Sci. Eng. B, 46, 336 (1997)
  131. И.М. Павлов, М.И. Иглицин, М.Г. Косганов, В.Н. Соломатин. ФТП, 9, 1279 (1975)
  132. А.И. Вейгнер, А.А. Лепенева, Г.А. Ломакина, Е.Н. Мохов, В.И. Соколов. ФТП, 18, 2014 (1984)
  133. V.V. Evstropov, A.M. Strel'chuk, A.L. Syrkin, V.E. Chelnokov. Inst. Phys. Conf. Ser. 137, 589 (1994)
  134. M. Okada, T. Kimura, T. Nakata, M. Watanbe, S. Kanazava, I. Kanno, K. Kamitani, K. Atobe, M.N. Nakagawa. Inst. Phys. Conf. Ser. 142, 469 (1996)
  135. H. Matsunami, T. Kimoto. Mater. Sci. Eng. R, 20, 125 (1997)
  136. Ю.А. Водаков, Г.А. Ломакина, Е.Н. Мохов. ФТТ, 24, 1377 (1982)
  137. Ю. Вахнер, Ю.М. Таиров. ФТТ, 12, 1543 (1970)
  138. Ю.А. Водаков, Е.Н. Мохов, А.Д. Роенков, М.М. Аникин. Письма ЖТФ, 5, 367 (1979)
  139. A.A. Maltsev, A.Yu. Maksimov, N.K. Yushin. Inst. Phys. Conf. Ser. 142, 41 (1996)
  140. A.A. Maltsev, D.P. Litvin, M.P. Scheglov, I.P. Nikitina. Inst. Phys. Conf. Ser. 142, 137 (1996)
  141. P.A. Ivanov, A.A. Maltsev, V.N. Panteleev, T.P. Samsonova, A.Yu. Maksimov, N.K. Yushin, V.E. Chelnokov. Inst. Phys. Conf. Ser. 142, 757 (1996)
  142. Ю.А. Водаков, Г.А. Ломакина, Е.Н. Мохов, В.Г. Одинг. ФТТ, 19, 1812 (1977)
  143. A.N. Andreev, A.S. Tregubova, M.P. Scheglov, A.L. Syrkin, V.E. Chelnokov. Mater. Sci. Eng. B, 46, 141 (1997)
  144. A.A. Lebedev, N.S. Savkina, A.M. Strel'chuk, A.S. Tregubova, M.P. Scheglov. Mater. Sci. Eng. B, 46, 168 (1997)
  145. А.А. Лебедев, Н.С. Савкина, А.С. Трегубова, М.П. Щеглов. ФТП, 31, 1083 (1997)
  146. A.A. Lebedev. Abstracts 19 Int. Conf. Def. in Semicond. (Aveiro, Portugal, 1997) p. 239
  147. Yu.A. Vodakov, E.N. Mokhov. Inst. Phys. Conf. Ser. 137, 197 (1994)
  148. Н.Д. Сорокин, Ю.М. Таиров, В.Ф. Цветков, М.А. Чернов. Кристаллография, 28, 910 (1983)
  149. G. Zeinther, D. Theeis. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-28, 425 (1981)
  150. D.J. Larkin, P.G. Neudeck, J.A. Powell, L.G. Matus. Appl. Phys. Lett., 65, 1661 (1994)
  151. E. Janzen, O. Kordina. Inst. Phys. Conf. Ser. 142, 653 (1996)
  152. А.Н. Андреев, Н.Ю. Смирнова, М.П. Щеглов, М.Г. Растегаева, В.П. Растегаев, В.Е. Челноков. ФТП, 30, 2060 (1996)
  153. L. Hoffman, G. Zeigler, D. Theis, G. Wegnich. J. Appl. Phys., 53, 6962 (1982)
  154. В.М. Гусев, К.Д. Демаков, В.М. Ефимов, В.Н. Ионов, М.Г. Косагонова, Н.К. Прокофьев, В.Г. Столярова, Ю.Н. Чекушин. ФТП, 15, 2430 (1981)
  155. R.M. Potter. Mater. Res. Bull., 4, S223 (1969)
  156. А. Берг, П. Дин. Светодиоды (М., Мир, 1973)
  157. М.М. Аникин, Н.И. Кузнецов, А.А. Лебедев, А.М. Стрельчук, А.Л. Сыркин. ФТП, 24, 1384 (1990)
  158. А.Н. Андреев, М.М. Аникин, А.А. Лебедев, Н.К. Полетаев, А.М. Стрельчук, А.Л. Сыркин, В.Е. Челноков. ФТП, 28, 729 (1994)
  159. А.А. Лебедев. ФТП, 30, 999 (1996)
  160. В.И. Павличенко, И.В. Рыжиков, Ю.М. Сулейманов, Ю.М. Шайдак. ФТТ, 10, 2801 (1968)
  161. S.H. Hagen, A.W.C. Kemanage, van der Does de Bye. J. Luminecs., 8, 18 (1973)
  162. A. Suzuki, H. Matsunami, T. Tanaka, J. Electrochem. Soc., 124, 241 (1977)
  163. В.И. Соколов. В сб.: Проблемы физики и технологии широкозонных полупроводников (Л., 1979) с. 301
  164. W. von Munch, W. Kukzinger. Sol. St. Electron., 21, 1129 (1978)
  165. M. Ikeda, T. Haykawa, S. Yamagiva, H. Matsunami, T. Tanaka. J. Appl. Phys., 50, 8215 (1979)
  166. В.А. Дмитриев, П.А. Иванов, Я.В. Морозенко, И.В. Попов, В.Е. Челноков. Письма ЖТФ, 11, 246 (1985)
  167. L. Hoffman, G. Zeidler, D. Theis, G. Wegnich. J. Appl. Phys., 53, 6962 (1982)
  168. Б.И. Вишневская, В.А. Дмитриев, И.Д. Коваленко, Л.М. Коган, Я.В. Морозенко, В.С. Родкин, А.Л. Сыркин, Б.В. Царенков, В.Е. Челноков. ФТП, 22, 664 (1988)
  169. А.А. Лебедев, Н.К. Полетаев, М.Г. Растегаева, А.М. Стрельчук. ФТП, 28, 1769 (1994)
  170. В.В. Макаров, Н.Н. Петров. ФТТ, 8, 1602 (1966)
  171. В.В. Макаров. ФТТ, 9, 596 (1967)
  172. Н.В. Кодрау, В.В. Макаров. ФТП, 15, 1408 (1981)
  173. L. Patrick, W.J. Choyke. Phys. Rev. B, 5, 3253 (1972)
  174. В.В. Макаров, Н.Н. Петров. ФТТ, 8, 3393 (1966)
  175. В.В. Макаров. ФТТ, 13, 2357 (1971)
  176. В.М. Гусев, К.Д. Демаков, В.М. Ефимов, В.И. Ионов, М.Г. Косагонова, Н.К. Прокофьева, В.Г. Столярова, Ю.Н. Чекушкин. ФТП, 15, 2430 (1981)
  177. Ю.А. Водаков, Г.А. Ломакина, Е.Н. Мохов, М.Г. Рамм, В.И. Соколов. ФТП, 20, 2153 (1986)
  178. Ю.М. Сулейманов, А.М. Грехов, В.М. Грехов. ФТТ, 25, 1840 (1983)
  179. Ю.А. Водаков, А.И. Гирка, А.О. Константинов, Е.Н. Мохов, А.Д. Роенков, С.В. Свирида, В.В. Семенов, В.И. Соколов, А.В. Шишкин. ФТП, 26, 1857 (1992)
  180. Ю.А. Водаков, А.А. Вольфсон, Г.В. Зарицкий, Е.Н. Мохов, А.Г. Остроумов, А.Д. Роенков, В.В. Семенов, В.И. Соколов, В.Е. Удальцов. ФТП, 26, 107 (1992)
  181. W.J. Choyke. In: NATO ASI Ser. Physics and Chemistry of Carbides, Nitrides and Borides, ed. by R. Freer (Manchester, 1989)
  182. А.А. Лебедев, М.П. Щеглов, Т.В. Соколова. Письма ЖТФ 21, 48 (1995)
  183. H. Kuwabara, S. Yamata. Phys. St. Sol. (a), 30, 739 (1975)
  184. S.E. Saddow, C.W. Tripton, M.S. Mazzola. J. Appl. Phys., 77, 318 (1994)
  185. H. Matsunami, M. Ikeda, T. Tanaka. Jap. J. Appl. Phys., 19, 1323 (1980)
  186. М.М. Аникин, А.А. Лебедев, Н.К. Полетаев, А.М. Стрельчук, А.Л. Сыркин, В.Е. Челноков. ФТП, 28, 473 (1994)
  187. A.A. Lebedev, M.C. do Carmo. Mater. Sci. Eng. B, 46, 275 (1997)
  188. А.В. Наумов, В.И. Санкин. ФТП, 23, 1009 (1989)
  189. В.И. Санкин, Р.Г. Веренчикова, Ю.А. Водаков, М.Г. Рамм, А.Д. Роенков. ФТП, 16, 1325 (1983)
  190. В.С. Баландович, Г.Н. Виолина. ФТП, 15, 1650 (1981)
  191. M.M. Anikin, A.A. Lebedev, S.N. Pyatko, V.A. Soloviev, A.M. Strel'chuk. Springer Proc. in Phys., 56, 269 (1992)
  192. А.М. Стрельчук. ФТП, 29, 1190 (1995)
  193. A.M. Strel'chuk, V.V. Evstropov. Inst. Phys. Conf. Ser. 155, 1009 (1997)
  194. O. Kordina, J.P. Bergman, A.Henry, E. Janzen. Appl. Phys. Lett., 66, 189 (1995)
  195. J.P. Bergman, C. Hallin, E. Janzen. Abstracts Int. Conf. on SiC, III Nitrides and Related Materials (Stockholm, Sweden, 1997) p. 63
  196. А.А. Лебедев, Д.В. Давыдов. ФТП, 31, 1049 (1997)
  197. А.О. Константинов, Д.П. Литвин, В.И. Санкин. Письма ЖТФ, 7, 1335 (1981)
  198. Ю.А. Водаков, А.О. Константинов, Д.П. Литвин, В.И. Санкин. Письма ЖТФ, 7, 705 (1981)
  199. А.П. Дмитриев, А.О. Константинов, Д.П. Литвин, В.И. Санкин. ФТП, 17, 1093 (1983)
  200. М.М. Аникин, С.Н. Вайнштейн, А.М. Стрельчук, А.Л. Сыркин. ФТП, 22, 545 (1988)
  201. М.М. Аникин, М.Е. Левинштейн, И.В. Попов, В.П. Растегаев, А.М. Стрельчук, А.Л. Сыркин. ФТП, 22, 1574 (1988)
  202. А.С. Кюрегян, П.Н. Шлыгин. ФТП, 23, 1164 (1989)
  203. Е.В. Астрова, В.М. Волле, В.Б. Воронков, В.А. Козлов, А.А. Лебедев. ФТП, 20, 2122 (1986)
  204. P.G. Neudeck, Ch. Fazi. IEEE Electron. Dev. Lett., 18, 96 (1997)
  205. A.A. Lebedev, A.M. Strel'chuk, S. Ortolland, C. Raynaud, M.L. Locatelli, D. Planson, J.P. Chante. Inst. Phys. Conf. Ser. 142, 701 (1996)
  206. А.А. Лебедев, С. Ортоланд, К. Раноуд, М.Л. Локателли, Д. Плансон, Ж.П. Шант. ФТП, 31, 866 (1997)
  207. Р.Н. Кютт, А.А. Лепенева, Г.А. Ломакина, Е.Н. Мохов, А.С. Трегубова, Г.Ф. Юлдашев. ФТТ, 30, 2606 (1988)
  208. А.И. Гирка, В.А. Кулешин, А.Д. Мокрушин, Е.Н. Мохов, С.В. Свирида, А.В. Шишкин. ФТП, 23, 1270 (1989)
  209. V.A. Il'in, B.S. Balandovich. Defect and Diffusion Forum, 103--105 (Trans, Tech. publ., Switzeland, 1993) p. 633.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme