Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 1999, выпуск 2 » Статья стр. 198
<<<>>>
Оптические свойства слоев пористого кремния, полученных с использованием электролита HCl : HF : C2H5OH
Белогорохов А.И.1, Белогорохова Л.И.2
1Государственный институт редкометаллической промышленности, Москва, Россия
2Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 9 декабря 1997 г.
Выставление онлайн: 20 января 1999 г.
PDF версия
Исследовались свойства образцов пористого кремния, проявляющих интенсивную фотолюминесценцию, не деградирующих со временем, а также под действием интенсивного лазерного излучения. Образцы были изготовлены с добавлением в обычный фтористо-водородный электролит соляной кислоты. Пик фотолюминесценции от полученных слоев пористого кремния располагался при энергиях 1.85-1.9 эВ. Сигнал фотолюминесценции от образцов, изготовленных на тех же исходных подложках по стандартной методике, без HCl в составе электролита, имел на 2 порядка меньшую интенсивность. Исследовалась деградация образцов пористого кремния со временем и под действием лазерного излучения различной мощности. Для образцов пористого кремния, полученных с максимальным содержанием HCl в составе электролита, сигнал фотолюминесценции не деградировал под действием лазерного излучения. В работе также исследовались инфракрасные спектры образцов с целью контроля химического состояния их поверхности. Получено, что резкое, в 100 раз, увеличение интенсивности сигнала фотолюминесценции от образцов, изготовленных по предложенной методике, может быть связано как с особенностями структурного строения слоев пористого кремния, так и с наличием тонкого совершенного слоя SiO2 на поверхности нанокристаллитов.
  1. L.T. Canham. Appl. Phys. Lett., 57, 1046 (1990)
  2. S. Sawada, N. Hamada, N. Ookubo. Phys. Rev. B, 49, 5236 (1994)
  3. A.G. Cullis, L.T. Canham, P.D.J. Calcott. J. Appl. Phys., 82, 909 (1997)
  4. J.L. Gole, F.P. Dudel, D. Grantier, D.A. Dixon. Phys. Rev. B, 56, 2137 (1997)
  5. Qi. Zhang, S.C. Bayliss. J. Appl. Phys., 79, 1351 (1996)
  6. H.D. Fuchs, M. Stutzmann, M.S. Brandt, M. Rosenbauer, J. Weber, A. Breitschwerdt, P. Deak, M. Cardona. Phys. Rev. B, 48, 8172 (1993)
  7. F. Koch, V. Petrova-Koch, T. Muschik, A. Kux, F. Muller, V. Gavrilenko, F. Moller. In: Proc. 21st Int. Conf. on the Phys. of Semicond. (World Scientific, Singapore, 1993)
  8. S. Banerjee. Phys. Rev. B, 51, 11 180 (1995)
  9. К.Н. Ельцов, В.А. Караванский, В.В. Мартынов. Письма ЖЭТФ, 63, 106 (1996)
  10. R. Guerrero-Lemus, J.D. Moreno, J.M. Martinez-Duart, M.L. Marcos, J. Gonzales-Velasco, P. Gomez. J. Appl. Phys., 79, 3224 (1996)
  11. K.H. Li, C. Tsai, J. Sarathy, J.C. Campbell. Appl. Phys. Lett., 62, 3192 (1993)
  12. А.И. Белогорохов, Л.И. Белогорохова, В.А. Караванский, А.Н. Образцов. ФТП, 28, 1424 (1994)
  13. T.Ya. Gorbach, G.Yu. Rudko, P.S. Smertenko, S.V. Svechnikov, M.Ya. Valakh, V.P. Bondarenko, A.M. Dorofeev. Semicond. Sci. Technol., 11, 601 (1996)
  14. А.И. Белогорохов, В.А. Караванский, Л.И. Белогорохова. ФТП, 30, 1177 (1996)
  15. Y.M. Weng, Z.N. Fan, X.F. Zong. Appl. Phys. Lett., 63, 168 (1993)
  16. D.W. Zheng, Y.P. Huang, Z.J. He, A.Z. Li, T.A. Tang, R. Kwor, Q. Cui, X.J. Zhang. J. Appl. Phys., 81, 492 (1997)
  17. M.A. Butturi, M.C. Carotta, G. Martinelli, L. Passari, G.M. Youssef, A. Chiorino, G. Ghiotti. Sol. St. Commun., 101, 11 (1997)
  18. N. Rigakis, J. Hilliard, L. Abu Hassan, J.M. Hetrick, D. Andsager, M.H. Nayfeh. J. Appl. Phys., 81, 440 (1997)
  19. H. Koyama, N. Shima, N. Koshida. Phys. Rev. B, 53, R13291 (1996)
  20. Н.С. Аверкиев, В.М. Аснин, И.И. Марков, А.Ю. Силов, В.И. Степанов, А.Б. Чурилов, Н.Е. Мокроусов. Письма ЖЭТФ, 55, 631 (1992)
  21. C. Delerue, G. Allan, M. Lannoo.Phys. Rev. B, 48, 11 024 (1993)
  22. T. Takagahara, K. Takeda. Phys. Rev. B, 46, 15 578 (1992)
  23. A.I. Belogorokhov, R. Enderlein, A. Tabata, J.R. Leite, V.A. Karavanskii, L.I. Belogorokhova. Phys. Rev. B, 56, 10 276 (1997)
  24. A. Venkateswara Rao, F. Ozanam, J.-N. Chazalviel. J. Electrochem. Soc., 138, 153 (1991)
  25. D.V. Tsu, G. Lucovsky, B.N. Davidson. Phys. Rev. B, 40, 1795 (1989)
  26. A.C. Dillon, M.B. Robinson, S.M. George. Surf. Sci. Lett., 295, L998 (1993)
  27. W. Kaiser, P.H. Keck, C.F. Lange. Phys. Rev., 101, 1264 (1956)
  28. J.E. Olsen, F. Shimura. J. Appl. Phys., 66, 1353 (1989)
  29. S.M. Hu. J. Appl. Phys., 51, 5945 (1980)
  30. C.T. Kirk. Phys. Rev. B, 38, 1255 (1988)
  31. D. Graf, M. Grundner, R. Schilz. J. Vac. Sci. Technol. A, 7, 808 (1989)
  32. G. Lukovsky, J. Yang, S.S. Chao, J.E. Tyler, W. Czubatyj. Phys. Rev. B, 28, 3225 (1983)
  33. H. Chen, X. Hou, G. Li, F. Zhang, M. Yu, X. Wang. J. Appl. Phys., 79, 3282 (1996)
  34. E. Ribeiro, F. Cerdeira, O. Teschke. Sol. St. Commun., 101, 327 (1997)
  35. П.К. Кашкаров, Е.А. Константинова, С.А. Петрова, В.Ю. Тимошенко, А.Э. Юнович. ФТП, 31, 745 (1997)
  36. S.A. Gavrilov, I.N. Sorokin, V.A. Karavanskii, M.O. Bashkin, A.Yu. Trifonov. Mater. 10 Int. Conf. on Thin Films (Spain, Salamanca, 1996) p. 85
  37. H. Chen, X. Hou, G. Li, F. Zhang, M. Yu, X. Wang. J. Appl. Phys., 79, 3282 (1996)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme