Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Безынерционная перестройка частоты генерации диодных лазеров на основе гетероструктур InAsSb / InAsSbP (lambda=3.3 мкм), обусловленная нелинейными оптическими эффектами

Данилова А.П.¹, Данилова Т.Н.¹, Именков А.Н.¹, Колчанова Н.М.¹, Степанов М.В.¹, Шерстнев В.В.¹, Яковлев Ю.П.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 28 мая 1998 г.

Выставление онлайн: 20 января 1999 г.

PDF версия

Исследована перестройка длины волны излучения в диодных лазерах на основе структур InAsSb / InAsSbP. Рассматривается упрощенная математическая модель, учитывающая пространственно однородную накачку и зависимость диэлектрической проницаемости от концентрации носителей заряда. Показано, что в зависимости от величины тока накачки и параметров диодных структур возможно увеличение или уменьшение длины волны лазерного излучения с током, что наблюдается экспериментально. Процесс перестройки длины волны от тока является практически безынерционным процессом, определяющимся временем жизни фотона в резонаторе и частично временем жизни неравновесных носителей заряда.

В.Г. Аветисов, А.Н. Баранов, А.Н. Именков, А.И. Надеждинский, А.Н. Хуснутдинов, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 16, 66 (1990).
V.G. Avetisov, A.N. Baranov, A.N. Imenkov, A.I. Nadezhdinskiy, A.N. Khusnutdinov, Yu.P. Yakovlev. Proc. SPIE, 1724, 83 (1992).
А.Н. Баранов, Т.Н. Данилова, О.Г. Ершов, А.Н. Именков, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 18, 6 (1992)
A.N. Baranov, A.N. Imenkov, V.V. Sherstnev, Yu.P. Yakovlev. In: Proc. Fifth Int. Conf. on InP and Related Materials (Paris, 1993) p. 19
Ю.П. Яковлев, А.Н. Баранов, А.Н. Именков, В.В. Шерстнев, М.В. Степанов, А.Я. Понуровский. Квант. электрон., 20, 839 (1993)
A.A. Popov, Yu.P. Yakovlev, A.N. Baranov, A.N. Imenkov, V.V. Sherstnev. Proc. SPIE, 2112, 50 (1994)
Т.Н. Данилова, О.И. Евсеенко, А.Н. Именков, Н.М. Колчанова, М.В. Степанов, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 22, 7 (1996)
Т.Н. Данилова, О.И. Евсеенко, А.Н. Именков, Н.М. Колчанова, М.В. Степанов, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 31, 662 (1997)
Т.Н. Данилова, О.И. Евсеенко, А.Н. Именков, Н.М. Колчанова, М.В. Степанов, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 24, 77 (1998)
П.Г. Елисеев, В.П. Страхов. Письма ЖЭТФ, 16, 606 (1972)
П.Г. Елисеев, А.П. Богатов. Тр. ФИАН, 166, 15 (1986)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель