Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Люкс-амперные характеристики кристаллов CdHgTe c фотоактивными включениями

Власенко А.И.¹, Власенко З.К.¹

¹Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина

Поступила в редакцию: 27 мая 1998 г.

Выставление онлайн: 17 февраля 1999 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы люкс-амперные характеристики кристаллов CdHgTe с фотоактивными включениями. Показано, что специфика люкс-амперных характеристик в таких кристаллах, в том числе наблюдаемые в эксперименте участки суперлинейности, может определяться переключением доминирующих каналов рекомбинации, снятием рекомбинационных барьеров, а также уменьшением эффективных геометрических размеров включений, связанных с уменьшением длины диффузионного смещения при уменьшении времени жизни неравновесных носителей. Приводятся экспериментальные данные и расчеты на основе модели рекомбинационных потоков по различным каналам.

С.М. Рывкин. Фотоэлектрические явления в полупроводниках (М., Наука, 1963)
В.Е. Лашкарев, А.В. Любченко, М.С. Шейнкман. Неравновесные процессы в фотопроводниках (Киев, Наук. думка, 1981)
В.А. Зуев, В.Г. Литовченко, Г.А. Сукач. ФТП, 9, 1641 (1975)
F. Bartoli, R. Allen, L. Esterowitz et al. J. Appl. Phys., 45, 2150 (1974)
А.И. Власенко, К.Р. Курбанов, А.В. Любченко, Е.А. Сальков. УФЖ, 27, 1392 (1982)
А.И. Власенко, В.А. Гнатюк, П.Е. Мозоль и др.. Изв. РАН. Неорг. матер., 31, 1335 (1995)
А.И. Власенко, Ю.Н. Гаврилюк, В.З. Латута, А.В. Любченко, Е.А. Сальков. Письма ЖТФ, 5, 1013 (1979)
А.И. Власенко. УФЖ, 42, 856 (1997)
D.L. Polla, C.E. Jones. J. Appl. Phys., 52, 5119 (1981)
А.И. Власенко, З.К. Власенко, А.В. Любченко. ФТП, 31, 1323 (1997)
М.С. Шейнкман, А.Я. Шик. ФТП, 10, 209 (1976)
Н.Н. Григорьев, Л.А. Карачевцева, К.Р. Курбанов, А.В. Любченко. ФТП, 25, 464 (1991)
А. Байдуллаева, Б.К. Даулетмуратов, А.И. Власенко, В.А. Гнатюк, П.Е. Мозоль. ФТП, 27, 56 (1993).
V.N. Babentsov, A.I. Vlasenko, P.E. Mozol, E.P. Kopishinskaya. Proc. SPIE, 2648, 369 (1995).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель