Оптические и фотоэлектрические свойства кристаллов Zn1-xFexTe
Гнатенко Ю.П.1, Фарина И.А.1, Гамерник Р.В.2
1Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2Львовский государственный университет, Львов, Украина
Поступила в редакцию: 21 июля 1998 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1999 г.
Впервые исследованы оптические и фотоэлектрические свойства новых ван-флековских полумагнитных полупроводников Zn1-xFexTe (x=<0.046). Показано, что структура длинноволнового края поглощения и спектра фотогальванического тока обусловлена фотоионизационными переходами с участием различных зарядовых состояний Fe (Fe+, Fe2+ и Fe3+). Определена концентрационная зависимость энергетического положения свободного экситона, а также положения основных уровней ионов Fe2+ (Ev+0.44 эВ) и Fe+ (Ec-0.28 эВ). Отмечено, что предельная растворимость атомов Fe в ZnTe обусловлена образованием кластеров FeTe.
- A. Mycielski. Acta Phys. Polon., A 73, 839 (1988)
- Ю.П. Гнатенко, И.А. Фарина, Р.В. Гамерник, А.С. Крочук, П.И. Бабий. ФТП, 27, 1639 (1993)
- C. Testelin, A. Mauger, C. Rigaux, M. Gnillot, A. Mycielski. Sol. St. Commun., 71, 923 (1989)
- A. Saren, B.A. Orlowski, S. Kuzminski. Acta Phys. Polon., A 79, 183 (1991)
- В.Г. Абрамишвили, А.В. Комаров, С.М. Рябченко, В.И. Погорелый. ФТП, 23, 575 (1989)
- Б.М. Вул, В.С. Иванов, В.А. Рукавишников и др. ФТП, 6, 1264 (1972)
- Ю.П. Гнатенко, А.И. Жмурко, И.А. Фарина. УФЖ, 33, 24 (1988)
- Ю.П. Гнатенко, А.И. Жмурко. УФЖ, 30, 843 (1985)
- Ю.П. Гнатенко. Автореф. докт. дис. (Киев, ИФ НАН Украины, 1992)
- G.A. Slack, F.S. Ham, R.M. Chrenko. Phys. Rev., 152, 376 (1966)
- T.L. Estle, W.C. Holton. Phys. Rev., 150, 159 (1966)
- В.С. Блажкив, Р.В. Гамерник, Ю.П. Гнатенко, А.С. Крочук, Е.В. Смишко. УФЖ, 33, 714 (1988)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.