Методом численного моделирования анализируются проявления ионных ловушек, эффектов нейтрализации ионов и генерации неосновных носителей заряда у границы раздела диэлектрик-полупроводник в температурных зависимостях тока J(T) и высокочастотной емкости C_s(T) МДП структуры в процессе ее термостимулированной деполяризации. В общем случае даже при наличии в диэлектрике лишь одного сорта подвижных ионов кривые J(T) могут иметь три пика, обусловленных опустошением ионных ловушек, распадом нейтральных ассоциатов ион + электрон и генерацией неосновных носителей заряда. Температурная последовательность этих пиков, как и их количество (вплоть до одного), определяются соотношениями энергий активации соответствующих процессов и начальным изгибом зон в полупроводнике U₀. Случаи слияния отдельных пиков, сопровождающиеся их уширением и симметризацией, могут ошибочно трактоваться как результат проявления распределенных по энергии ионных ловушек. Анализ семейств зависимостей J(T,U₀,n₀) и C_s(T,U₀,n₀) (n₀ - начальная плотность частиц, ионов и нейтральных ассоциатов, локализованных в диэлектрике у границы с полупроводником) позволяет отделить чисто ионные явления от электронных, а также вклады в ток от ионных ловушек и эффектов нейтрализации и в принципе объяснить наблюдающуюся эволюцию пиков термостимулированной деполяризации при вариациях U₀ и n₀, не получившую до сих пор адекватного физического истолкования.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.