На установке молекулярно-пучковой эпитаксии ЭП-1302 выращены предельно легированные железом гетероструктуры, содержащие объемные слои GaAs и Al_xGa_1-xAs, а также GaAs / AlGaAs-сверхрешетки. Анализ измеренных методом масс-спектрометрии вторичных ионов профилей вхождения железа показал, что при росте на ориентированных в плоскости [100] подложках предельные концентрации железа для слоев GaAs, а также для GaAs / AlGaAs-сверхрешеток оказываются на 2 порядка меньшими, чем для тройного раствора AlGaAs. Обнаружено, что радикальное увеличение предельной концентрации Fe (вплоть до 5· 10¹⁸ см^-3) в GaAs / AlGaAs-сверхрешетках может быть достигнуто при росте на подложках, вырезанных с 3^o отклонением от плоскости [100]. Существенно, что при таких высоких уровнях легирования в спектрах низкотемпературного (10 K) поглощения и фотолюминесценции сверхрешеток сохраняются узкие экситонные линии. Проанализированы возможные механизмы селективного внедрения железа в GaAs / AlGaAs-гетероструктуры.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.