Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Фотопроводимость аморфного гидрированного кремния, легированного методом ионной имплантации

Казанский А.Г.¹, Петрушко С.М.², Рыжкова Н.В.¹

¹Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия Lomonosov Moscow State University, Moscow, Russia

²Варшавский технологический университет

Поступила в редакцию: 29 июня 1998 г.

Выставление онлайн: 17 февраля 1999 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовано влияние концентрации примесей (фосфора и бора) на фотопроводимость пленок аморфного гидрированного кремния, гидрированного и легированного методом ионной имплантации. Проведено сопоставление с данными для пленок, легированных из газовой фазы. Обнаружено существенное отличие зависимостей фотопроводимости от уровня легирования для фосфора и бора. Фотопроводимость имплантированных фосфором пленок возрастает с уровнем легирования и на порядок величины меньше фотопроводимости пленок, легированных фосфором из газовой фазы. В то же время фотопроводимость пленок, имплантированных бором, слабо зависит от уровня легирования и практически совпадает с фотопроводимостью пленок, легированных бором из газовой фазы. Полученные результаты объясняются в рамках модели рекомбинации, учитывающей различие в перезарядке состояний дефектов в пленках n- и p-типа.

P.G. Le Comber, W. E. Spear, G. Muller, S. Kalbitzer. J. Non-Cryst. Sol., 35--36, 327 (1980)
H. Mannsperger, S. Kalbitzer, G. Muller. Appl. Phys. A, 41, 253 (1986)
F.J. Demond, G. Muller, S. Kalbitzer, W.E. Spear, P.G. Le Comber. Nucl. Instr. Meth., 191, 59 (1981)
G. Muller, P.G. Le Comber. Phil. Mag. B, 43, 419 (1981)
W.E. Spear, P.G. Le Comber, S. Kalbitzer, G. Muller. Phil. Mag. B, 39, 159 (1979)
W. Beyer, D. Stritzker, H. Wagner. J. Non-Cryst. Sol., 35--36, 321 (1980)
H. Matsumura, N. Kuzuta, H. Ishiwara, S. Furukawa. Radiat. Eff., 48, 133 (1980)
S.M. Pietruszko. J. Non-Cryst. Sol., 164--166, 255 (1993)
K. Boringer, X.H. Liu, S. Kalbitzer. J. Phys. C: Sol. St. Phys., 16, L1187 (1983)
T.M. Searle, W.A. Jackson, S. Kalbitzer. J. Non-Cryst. Sol., 114, 286 (1989)
H. Overhof, P. Thomas. Transport in Hydrogenated Amorphous Semiconductors [Springer Tracts in Modern Physics (1989) v. 114]
W.E. Spear, H.L. Steemer, P.G.Le Comber, R.A. Gibson. Phil. Mag. B, 50, L33 (1984)
А.Г. Казанский, Е.А. Шамонина. ФТП, 27, 1688 (1993)
R. Kuntz, J. Dziesiaty. Phys. St. Sol. (a), 124, K149 (1991)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель