Вышедшие номера
Исследование планарно-легированных структур на основе арсенида галлия для сверхвысокочастотных диодов с объемным потенциальным барьером
Малеев Н.А.1, Волков В.В.2, Егоров А.Ю.1, Жуков А.Е.1, Ковш А.Р.1, Кокорев М.Ф.3, Устинов В.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2ЗАО "Светлана-Электронприбор", Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 23 июля 1998 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1999 г.

Диоды с планарно-легированным потенциальным барьером - приборы с переносом заряда основными носителями, для которых возможно управление высотой потенциального барьера и формой вольт-амперных характеристик за счет определенного сочетания слоев при выращивании эпитаксиальных структур. Эти приборы выступают в качестве потенциальной замены диодов с барьером Шоттки для ряда сверхвысокочастотных применений. В настоящей работе мы исследуем некоторые типичные проблемы, возникающие при выращивании структур с планарно-легированным потенциальным барьером методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Предлагается технология получения структур, основанная на сочетании газофазной эпитаксии с молекулярно-пучковой эпитаксией. Исследуются различные методы формирования омических контактов в структурах с планарно-легированным потенциальным барьером. Разработана технология, обеспечивающая малые контактные сопротивления (<6·10-7 Ом·см2) и высокий процент выхода годных диодов (>95%). Изготовленные сверхвысокочастотные диоды с планарно-легированным потенциальным барьером сопоставляются с диодами Шоттки на основе арсенида галлия.