Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Температурная зависимость квантовой эффективности кремниевых p-n-фотоприемников
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 15 июля 1998 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1999 г.
Исследована температурная зависимость квантовой эффективности фотодиодов на основе кремниевых p-n-структур в области энергий фотонов 1.1-5.2 эВ и интервале температур 77-300 K. Показано, что для энергий фотонов, превышающих 1.4 эВ, изменение квантовой эффективности не превосходит 0.01% на градус. Проводится сопоставление температурной зависимости фотоотклика кремниевых фотодиодов и фотодиодов на основе GaAs и GaP барьеров Шоттки.
- Hamamatsu Photonics Photodiodes Catalog, 1995
- Е.И. Иванов, Л.Б. Лопатина, В.Л. Суханов, В.В. Тучкевич, Н.Н. Шмидт. ФТП, 15, 1343 (1981)
- Ю.А. Гольдберг, О.В. Константинов, О.И. Оболенский, Е.А. Поссе, Б.В. Царенков. ФТП, 31, 563 (1997)
- Ю.А. Гольдберг, О.В. Константинов, Е.А. Поссе, Б.В. Царенков. ФТП, 29, 215 (1995)
- H.R. Philipp, E.A. Taft. Phys. Rev., 99, 1151 (1955)
- D. Redfield. Phys. Appl. Lett., 35, 182 (1979)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
