Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Электростатическая модель энергетической щели между зонами Хаббарда атомов бора в кремнии

Поклонский Н.А.¹, Сягло А.И.¹

¹Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь Belarusian State University, Minsk, Republic of Belarus

Поступила в редакцию: 5 июня 1998 г.

Выставление онлайн: 19 марта 1999 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Развита электростатическая модель сужения энергетической щели varepsilon₂ между зонами Хаббарда (A⁰- и A⁺-зонами) с ростом концентрации акцепторов N=N₀+N_-1+N₊₁ и с ростом степени их компенсации K донорами при N_-1~ KN. Учтено экранирование ионов примесей прыгающими по акцепторам дырками. Показано, что этот эффект приводит к сдвигу A⁰-зон к валентной зоне, A⁺-зон - к зоне проводимости. Концентрация прыгающих в A⁺-зоне дырок N₊₁N₀/N определяется энергией их термической генерации varepsilon₂ из A⁰-зоны. Рассчитанные для Si : B значения varepsilon₂ согласуются с экспериментальными данными.

Е.М. Гершензон, А.П. Мельников, Р.И..Рабинович, Н.А. Серебрякова. УФН, 132, 353 (1980)
H. Nushimura. Phys. Rev., 138, A815 (1965)
Л.П. Гинзбург. ФТП, 12, 564 (1978)
Е.М. Гершензон, Ф.М. Исмагилова, Л.Б. Литвак-Горская. ФТП, 28, 671 (1994)
J. Bethin, T.G. Castner, N.K. Lee. Sol. St. Commun., 14, 1321 (1974)
Semiconductors: group IV elements and III--V compounds, ed. O. Madelung (Springer Verlag, Berlin Heidelberg, 1991) p. 164
Т.М. Лифшиц. ПТЭ, N 1, 10 (1993)
D.E. Phelps, K.K. Bajaj. Phys. Rev. B, 26, 912 (1982)
N.A. Poklonski, V.F. Stelmakh, V.D. Tkachev, S.V. Voitikov. Phys. St. Sol. (b), 88, K165 (1978)
В.С. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1990) гл. 5, с. 189
Н.А. Поклонский, А.И. Сягло. ФТТ, 40, 147 (1998)
Н.А. Поклонский, А.И. Сягло. Тез. докл. III Всерос. конф. по физике полупроводников (М., ФИАН, 1997) с. 117
N.A. Poklonski, V.F. Stelmakh. Phys. St. Sol. (b), 117, 93 (1983)
Ф.М. Исмагилова, Л.Б. Литвак-Горская, Г.Я. Луговая, И.Е. Трофимов. ФТП, 25, 225 (1991)
Е.М. Гершензон, Ю.А. Гурвич, А.П. Мельников, Л.Н. Шестаков. ФТП, 25, 160 (1991)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель