Определение параметров глубоких уровней по релаксационной задержке пробоя p-n-перехода
Булярский С.В.1, Сережкин Ю.Н.2, Ионычев В.К.2
1Ульяновский государственный университет, Ульяновск, Россия
2Мордовский государственный университет, Саранск, Россия
Поступила в редакцию: 25 июля 1998 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1999 г.
Исследуется методика определения параметров глубоких центров по релаксационной задержке лавинного пробоя p-n-перехода. Используемый метод не накладывает ограничений на соотношение концентраций глубоких центров и легирующих примесей и может быть использован в тех случаях, когда вольт-фарадная характеристика образца плохо контролируется, либо эквивалентная схема p-n-перехода является сложной. Это может быть вследствие сильно компенсированных базовых областей, наличия высокоомных слоев или несовершенных омических контактов. Возможности метода проиллюстрированы на примере определения параметров акцепторного уровня золота в p+-n-n+-структурах с высоким содержанием золота (NAu=0.9Nd).
- И.В. Грехов, Ю.Н. Сережкин. Лавинный пробой p-n-перехода в полупроводниках (Л., Энергия, 1980)
- П.В. Акимов, И.В. Грехов, Ю.Н. Сережкин. ФТП, 4, 2099 (1970)
- Е.В. Астрова, В.М. Волле, В.Б. Воронков, В.А. Козлов, А.А. Лебедев. ФТП, 20, 2122 (1986)
- Ю.В. Выжигин, Б.Н. Грессеров, Н.А. Соболев. ФТП, 22, 536 (1988)
- А.С. Кюрегян, П.Н. Шлыгин. ФТП, 23, 1164 (1989)
- С.В. Булярский, Н.С. Грушко. Генерационно-рекомбинационные процессы в активных элементах (М., МГУ, 1995)
- А. Блихер. Физика силовых биполярных и полевых транзисторов (Л., Энергоатомиздат, 1986)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.