О влиянии уровней захвата на токоперенос в структурах Pd--p(n)-CdTe
Слободчиков С.В.1, Салихов Х.М.1, Руссу Е.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 10 сентября 1998 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1999 г.
Исследованы вольт-амперные характеристики и фотоэдс структур Pd-p(n)-CdTe и изменение их при импульсном воздействии водорода. Показано, что токоперенос в структурах Pd-n-CdTe [I~ exp(alpha V)] связан с двойной инжекцией носителей при их захвате на однородно распределенные по энергии уровни ловушек. Для структур Pd-p-CdTe важен полупроводниковый режим двойной инжекции с I~ V2. Серия глубоких уровней захвата, в том числе в интервале 0.75/ 0.83 эВ, ответственна за длительный процесс релаксации фотоэдс и темнового тока после импульса потока H2.
- Semiconductors and semimetals (N.Y.-London, Acad. Press, 1978) v. 13
- М. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973) гл. 4, с. 97
- A. Castaldini, A. Cavallini, B. Fraboni. J. Appl. Phys., 83(4), 2121 (1997)
- T. Takebe, J. Saraie, H. Matsunami. J. Appl. Phys., 53(1), 457 (1982)
- Г.Г. Ковалевская, М.М. Мередов, Е.В. Руссу, Х.М. Салихов, С.В. Слободчиков. ЖТФ, 63, вып. 2, 185 (1993)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
