Вышедшие номера
Спонтанно формирующиеся периодические InGaAsP-структуры с модулированным составом
Берт Н.А.1, Вавилова Л.С.1, Ипатова И.П.1, Капитонов В.А.1, Мурашова А.В.1, Пихтин Н.А.1, Ситникова А.А.1, Тарасов И.С.1, Щукин В.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 23 октября 1998 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1999 г.

Методами фотолюминесценции и просвечивающей электронной микроскопии выполнены исследования эпитаксиальных слоев InGaAsP, полученных в области неустойчивости на подложках InP (001) и GaAs (001). Дано обсуждение результатов на основе теории спинодального распада твердых растворов. Экспериментально установлено, что в определенных интервалах температур и составов твердые растворы InGaAsP представляют собой систему напряженных, чередующихся (во взаимно перпердикулярных направлениях [100] и [010]) доменов твердого раствора двух различных составов с разными постоянными решетки. Структура доменов резко выражена у поверхности эпитаксиальной пленки и размывается в глубину к подложке. Полученные данные с большой вероятностью указывают на спинодальный распад твердых растворов InGaAsP в экспериментальных образцах.