Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

К вопросу о поглощении инфракрасного излучения свободными носителями заряда в n-Cd_1-xZn_xTe

Белогорохов А.И.¹, Белогорохова Л.И.², Белов А.Г.¹, Лакеенков В.М.¹, Смирнова Н.А.¹

¹Институт редкометаллической промышленности "Гиредмед", Москва, Россия
²Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия Lomonosov Moscow State University, Moscow, Russia

Lomonosov Moscow State University, Moscow, Russia

Поступила в редакцию: 24 июня 1998 г.

Выставление онлайн: 19 апреля 1999 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовались инфракрасные спектры пропускания монокристаллических образцов n-CdTe и n-Cd_1-xZn_xTe при 295 и 77 K. Проведен анализ полученных экспериментальных данных в предположении, что наблюдаемые спектральные зависимости коэффициента пропускания обусловлены поглощением инфракрасного излучения свободными носителями заряда. Показано, что результаты расчета удовлетворительно согласуются с экспериментальными данными. Значения концентраций и подвижностей электронов, рассчитанные из спектров пропускания, близки к значениям аналогичных параметров, полученных из электрических измерений.

Т. Мосс, Г. Баррел, Б. Эллис. Полупроводниковая оптоэлектроника (М., Мир, 1976) с. 27, 45, 51
Б.М. Аскеров. Кинетические эффекты в полупроводниках (Л., Наука, 1970) с. 39
M. Cardona. J. Phys. Chem. Sol., 24(4), 1543 (1963)
M.J.S.H. Brasil, M.C. Tamargo, R.E. Nahory, H.L. Gilchrist, R.J. Martin. Appl. Phys. Lett., 59(10), 1206 (1991)
Н.Н. Берченко, В.Е. Кревс, В.Г. Средин. Полупроводниковые твердые растворы и их применение (М., Воениздат, 1982) с. 73
J. Baars, F. Sorger. Sol. St. Commun., 10(9), 875 (1972)
W.J. Kim, M.J. Park, S.U. Kim, T.S. Lee, J.M. Kim, W.J. Song, S.H. Suh. J. Cryst. Growth, 104(3), 677 (1990)
B. Li, J. Zhu, X. Zhang, J. Chu. J. Cryst. Growth, 181, 204 (1997)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель