Вышедшие номера
Влияние ориентации кремниевой подложки на свойства лавинных Si : Er : O-светоизлучающих структур
Соболев Н.А.1, Емельянов А.М.2, Николаев Ю.А.1, Вдовин В.И.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
3Институт химических проблем микроэлектроники, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 28 декабря 1998 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1999 г.

Рассмотрено влияние ориентации кремния на структурные и люминесцентные свойства лавинных светодиодов, изготовленных методом соимплантации эрбия и кислорода и последующей твердофазной эпитаксиальной кристаллизации аморфизованного слоя. Люминесцентные свойства обусловлены формированием различных структурных дефектов в процессе твердофазной эпитаксиальной кристаллизации: в (100) Si : Er : O-слоях образуются V-образные дислокации и преципитаты эрбия, а в (111) Si : Er : O-слоях наблюдаются более крупные структурные дефекты-двойники и увеличение концентрации дислокаций более чем на 4 порядка по сравнению с ориентацией (100). Проведено также сравнение люминесцентных свойств лавинных и туннельных светодиодов. В отличие от туннельных диодов в лавинных диодах эрбиевые ионы возбуждаются во всей области объемного заряда, а эффективное сечение возбуждения ионов Er3+ и время их жизни в возбужденном состоянии в 3-4 раза выше.