Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Механизм эрбиевой электролюминесценции в аморфном гидрогенизированном кремнии

Бреслер М.С.¹, Гусев О.Б.¹, Пак П.Е.¹, Теруков Е.И.¹, Цэндин К.Д.¹, Яссиевич И.Н.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 17 ноября 1998 г.

Выставление онлайн: 20 мая 1999 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Изучен механизм электролюминесценции эрбия в структурах, изготовленных на основе аморфного гидрогенизированного кремния, при обратном смещении. Возбуждение ионов эрбия происходит посредством оже-процесса, в котором электроны проводимости захватываются нейтральными оборванными связями (D⁰-центрами), расположенными поблизости от ионов эрбия. Стационарный ток через структуру поддерживается благодаря обратному процессу, которым является термостимулированная туннельная эмиссия электронов отрицательно заряженными дефектами типа оборванной связи (D^--центрами) в зону проводимости аморфной матрицы.

M.S. Bresler, O.B. Gusev, V.Kh. Kudoyarova, A.N. Kuznetsov, P.E. Pak, E.I. Terukov, I.N. Yassievich, B.P. Zakharchenya, W. Fuhs, A. Sturm. Appl. Phys. Lett., 67, 3599 (1995)
J.H. Shin, R. Serna, G.N. van den Hoven, A. Polman, W.G.J.M. van Stark, A.M. Vredenburg. Appl. Phys. Lett., 68, 997 (1996)
A.R. Zanatta, Z.A. Nunes, Z.R. Tessler. Appl. Phys. Lett., 70, 511 (1997)
O.B. Gusev, A.N. Kuznetsov, E.I. Terukov, M.S. Bresler, V.Kh. Kudoyarova, I.N. Yassievich, B.P. Zakharchenya, W. Fuhs. Appl. Phys. Lett., 70, 240 (1997)
W. Fuhs, I. Ulber, G. Weiser, M.S. Bresler, O.B. Gusev, A.N. Kuznetsov, V.Kh. Kudoyarova, E.I. Terukov, I.N. Yassievich. Phys. Rev. B, 56, 9545 (1997)
I.N. Yassievich, M.S. Bresler, O.B. Gusev. J. Phys. C, 9, 9415 (1997)
V.N. Abakumov, V.I. Perel, I.N. Yassievich. Nonradiative Recombination in Semiconductors (North Holland, Amsterdam, 1991)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель