Исследование микротопографии поверхностей SiO2 и Si межфазной границы Si/SiO2 в структурах SIMOX методом сканирующей туннельной микроскопии
Вялых Д.В.1, Федосеенко С.И.1
1Научно-исследовательский институт физики, Петродворец, Россия
Поступила в редакцию: 20 ноября 1998 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1999 г.
Методом сканирующей туннельной микроскопии проведены исследования микротопографии поверхностей кремния и окисла кремния в структурах SIMOX. Для этой цели разработана методика, позволяющая применить метод сканирующей туннельной микроскопии для изучения неоднородностей на межфазной границе Si/SiO2. Показано, что рельеф поверхности кремния в структурах SIMOX является более гладким по сравнению с рельефом поверхности окисла. Неоднородности, которые наблюдаются на межфазной границе Si/SiO2, связаны с процессом имплантации ионов кислорода в монокристалл кремния. Проведено сравнение неоднородностей на поверхностях SiO2 и Si на межфазной границе Si/SiO2 при стандартном и высокотемпературном окислении монокристалла кремния.
- J.P. Colinge. Silicon-on-Insulator Technology: Materials to VLSI (Kluwer Academic Pub., Notwell, MA 1991)
- A.G. Revesz, G.A. Brown, H.L. Hughes. J. Electrochem. Soc., 140, 3222 (1993)
- V.V. Afanas'ev, A.G. Revesz, G.A. Brown, H.L. Hughes. J. Electrochem. Soc., 141, 2801 (1994)
- S.I. Fedoseenko, V.K. Adamchuk, V.V. Afanas'ev. J. Microelectronic Engin., 22, 367 (1993)
- S.W. Crowder, P.B. Griffin, J.D. Plummer. J. Appl. Phys. Lett., 65, 1698 (1994)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук