Вышедшие номера
Самоорганизация квантовых точек в многослойных структурах InAs/GaAs и InGaAs/GaAs при субмонослойной эпитаксии
Цырлин Г.Э.1, Петров В.Н.1, Масалов С.А.1, Голубок А.О.1
1Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 27 октября 1998 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1999 г.

Приводятся экспериментальные результаты по исследованию методами дифракции быстрых электронов на отражение и сканирующей туннельной микроскопии многослойных структур квантовых точек InGaAs/GaAs, полученных методами субмонослойной эпитаксии на сингулярных и вицинальных подложках GaAs(100). Представленные результаты указывают на существование в многослойных структурах эффектов пространственного упорядочения нанообъектов как в случае InAs, так и в случае гетероэпитаксиальных слоев InGaAs.