Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Исследование слоев GaN, легированных атомами As, полученных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений

Цацульников А.Ф.¹, Бер Б.Я.¹, Карташова А.П.¹, Кудрявцев Ю.А.¹, Леденцов Н.Н.¹, Лундин В.В.¹, Максимов М.В.¹, Сахаров А.В.¹, Усиков А.С.¹, Алфёров Ж.И.¹, Hoffmann A.²

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Technische Universitat Berlin, Berlin, Germany

Поступила в редакцию: 28 декабря 1998 г.

Выставление онлайн: 19 июня 1999 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовались условия внедрения As в слои GaN, выращенные методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений. Показано, что осаждение GaAs на поверхность GaN приводит к снятию напряжений в слое GaN. Заращивание тонкого слоя GaAs слоем GaN при высокой температуре приводит к диффузии атомов As в GaN, вызывает формирование толстой однородно легированной области GaN : As и обусловливает появление в спектре фотолюминесценции интенсивной полосы с максимумом при ~ 2.5 эВ.

D.L. Huffaker, G. Park, Z. Zou, O.B. Shchekin, D.G. Deppe. Appl. Phys. Lett., 73, 2564 (1998)
Y. Narukawa, Y. Kawakami, M. Funato, S. Fujita, S. Fujita, S. Nakamura. Appl. Phys. Lett., 70, 981 (1997)
S. Yamaguchi, M. Kariya, S. Nitta, T. Takeuchi, C. Wetzel, H. Amano, I. Akasaki. Appl. Phys. Lett., 73, 830 (1998)
L. Bellaiche, S.-H. Wei, A. Zunger. Appl. Phys. Lett., 70, 3558 (1997)
L.J. Guido, P. Mitev, M. Gherasimova, B. Gaffey. Appl. Phys. Lett., 72, 2005 (1998)
R.D. Dupuis. J. Cryst. Growth, 178, 56 (1997)
W.V. Lundin, A.S. Usikov, U.I. Ushakov, M.V. Stepanov, B.V. Pushnyi, N.M. Shmidt, V. Tret'yakov, M.V. Maximov, A.V. Sakharov. EW MOVPE VII, Workshop Booklet (Berlin, 1997), F10
J.C. Zopler, M.H. Crafword, J. Howard, J. Ramer, S.D. Hersee. Appl. Phys. Lett., 68, 200 (1996)
X. Li, S. Kim, E.E. Reuter, S.G. Bishop, J.J. Coleman. Appl. Phys. Lett., 72, 1990 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель