Развита теория фоторезисторов длинноволнового инфракрасного излучения на основе предложенных ранее авторами трапецеидальных delta-легированных сверхрешеток. Показано, что, несмотря на межзонное поглощение инфракрасного излучения и фотогенерацию электронно-дырочных пар, фотопроводимость сверхрешетки является монополярной, причем коэффициент фотоэлектрического усиления и фоточувствительность фоторезистора на такой сверхрешетке могут достигать огромных величин. Установлено, что время жизни электронов и дырок, определяемое туннельно-излучательными переходами, определяет кинетику спада фотопроводимости. Предсказан парадоксальный эффект: вольтовая фоточувствительность трапецеидальной сверхрешетки в отличие от всех других типов фоторезисторов практически не зависит от времени жизни фотоносителей и степени легирования (концентрации равновесных носителей) и может иметь гигантскую величину. Рассчитана спектральная фоточувствительность R(omega) и показано, что вблизи края поглощения R(omega) линейно возрастает с ростом энергии фотона. Найдена спектральная плотность генерационно-рекомбинационных шумов и проанализирована обнаружительная способность фоторезистора на трапецеидальной сверхрешетке. Отмечается, что в фоторезисторах такого типа можно осуществить быстрое стирание фотопроводимости.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.