Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Создание методом твердофазного прямого сращивания отдельных p-n-переходов, разделенных изолирующим слоем
Гук Е.Г.1, Подласкин Б.Г.1, Токранова Н.А.1, Воронков В.Б.1, Козлов В.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 15 декабря 1998 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1999 г.
Разработаны три варианта технологического цикла изготовления отдельных p-n-переходов, разделенных изолирующим слоем, базирующиеся на использовании твердофазного прямого сращивания. Исследованы прямая и обратная ветви вольт-амперной характеристики сформированных диодов. Для всех технологических вариантов дифференциальное сопротивление прямой ветви отдельных p-n-переходов составляет ~0.01 Ом, напряжение пробоя ~400 В, ширина области апертуры для встречно включенных диодов составляет 0.22 В. Все эти данные, а также высокая интегральная фоточувствительность диодов свидетельствуют об отсутствии окисного барьера между p- и n-областями и о высоком качестве границы, полученной в результате сращивания.
- J.B. Lasky. Appl. Phys. Lett., 48, 78 (1986)
- M. Shimbo, K. Furukawa, K. Fukuda, K. Tanzava. J. Appl. Phys., 50, 2987 (1986)
- S. Bengtsson. J. Electron. Mater., 21, 841 (1992)
- H. Gotoi. J. de Phys., 49, 4 (1988)
- B. Mazhari, S. Cristoloveanu, D.E. Ioannou, A.L. Caviglia. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-38, 1289 (1991)
- K. Watanabe, T. Hashimoto, M. Yoshida, M. Usami, Y. Sakai, T. Ikeda. Ext. Abstr. Electrochem. Soc. Fall Mtg. (1991) 91-2, p. 774
- A.L. Caviglia, R.C. Potter, L.J. West. IEEE Electron. Dev. Lett., EDL-12, 26 (1991)
- R. Wilson, H.S. Gamble, S.J.N. Mitchell. Ext. Abstr. Electrochem. Soc. Fall Mtg. (1991) 91-2, p. 742
- В.М. Волле, В.Б. Воронков, И.В. Грехов, В.А. Козлов. Письма ЖТФ, 16, 6 (1990)
- I. Rhee, F.M. Casparini, A. Petrou, D.J. Bishiop. Rev. Sci. Instrum., 61, 1528 (1990)
- K. Tsuruta, M. Katada, S. Fujino, T. Hattori. IEICE Trans. Electron. (1992) E75-C, p. 1459
- Н.А. Брюхно, Е.М. Жарковский, Ю.А. Концевой, Ю.Г. Сахаров. Обзоры по электрон. техн. Сер. 3. Микроэлектроника, 4 (1987)
- К.Ф. Берковская, Н.В. Кириллова, Б.Г. Подласкин, В.М. Столовицкий, Н.А. Токранова. В сб.: Научно-технические достижения (М., ВИМИ, 1992) вып. 2, с. 22
- I.V. Grekhov, V.A. Kozlov, V.M. Volle, V.B. Voronkov. Best of Soviet Semicond. Phys. and Technol. 1989--1990, ed. by M. Levinstein and M. Shur (World Scientific, 1995) p. 597
- К. Сангвал. Травление кристаллов. Теория, эксперимент, применение (М., Мир, 1990) гл. 11, с. 426
- G.I. Kuhn, C.J. Rhee. J. Electrochem. Soc., 120, 1563 (1973)
- Е.Г. Гук, А.В. Ельцов, В.Б. Шуман, Т.А. Юрре. Фоторезисты --- диффузанты в полупроводниковой технологии (Л., Наука, 1984) с. 76
- В.Б. Воронков, Е.Г. Гук, В.А. Козлов, В.Б. Шуман. Письма ЖТФ, 24, 1 (1998)
- V.A. Kozlov, V.K. Eremin, I.L. Shulpina, V.B. Voronkov, A.M. Ivanov, V.V. Eliseyev, V.V. Chibirkin. In: High Purity Silicon IV, ed. by C.L. Claeys, P.Rai-Choudhury, P. Stallhofer, J.E. Maurits [ The Electrochem. Soc. Ser. (Pennington, 1996) v. PV 96-13, p. 369]
- R.D. Black, S.D. Arthur, R.S. Gilmore et al. J. Appl. Phys., 63, 2773 (1988)
- Б.Г. Подласкин, Е.П. Романова, В.С. Юферев. ЖТФ, 62, 126 (1992)
- В.Ф. Золотарев. Безвакуумные аналоги телевизионных трубок (М., Энергия, 1972)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
