Вышедшие номера
Структура и свойства слоев InGaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре
Вилисова М.Д.1, Ивонин И.В.1, Лаврентьева Л.Г.1, Субач С.В.1, Якубеня М.П.1, Преображенский В.В.2, Путято М.А.2, Семягин Б.Р.2, Берт Н.А.3, Мусихин Ю.Г.3, Чалдышев В.В.3
1Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 16 февраля 1999 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1999 г.

Проведены исследования слоев InGaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках InP (100) при температурах 150-480oC и различных потоках мышьяка. Показано, что понижение температуры эпитаксии приводит к изменениям поверхности роста, захвату избыточного мышьяка и увеличению параметра решетки эпитаксиальной пленки. Отжиг образцов, выращенных при низкой температуре (LT), приводит к релаксации параметра решетки и формированию в матрице InGaAs кластеров мышьяка. Для образцов, выращенных при 150oC и отожженных при 500oC, концентрация кластеров составляет ~8·1016 см-3, а их средний размер ~5 нм. В предположении, что избыточный мышьяк преимущественно захватывается в форме антиструктурных дефектов, из величины релаксации параметра решетки LT InGaAs при отжиге определена концентрация избыточного мышьяка (NAs-NGa-NIn)/ (NAs+NGa+NIn)=0.4 ат%. Слои InGaAs, выращенные при 150oC, характеризуются высокой концентрацией свободных электронов (~1·1018 см-3). Отжиг таких слоев при 500oC приводит к уменьшению концентрации электронов до ~1·1017 см-3. Установлено, что изменение концентрации свободных электронов качественно коррелирует с изменением концентрации избыточного мышьяка в слоях.