Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Структура и свойства слоев InGaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре

Вилисова М.Д.¹, Ивонин И.В.¹, Лаврентьева Л.Г.¹, Субач С.В.¹, Якубеня М.П.¹, Преображенский В.В.², Путято М.А.², Семягин Б.Р.², Берт Н.А.³, Мусихин Ю.Г.³, Чалдышев В.В.³

¹Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия Siberian Institute of Physics and Technology acad. V.D. Kuznetsov, Tomsk State University, Tomsk, Russia

Siberian Institute of Physics and Technology acad. V.D. Kuznetsov, Tomsk State University, Tomsk, Russia

²Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

³Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 16 февраля 1999 г.

Выставление онлайн: 20 июля 1999 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проведены исследования слоев InGaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках InP (100) при температурах 150-480^oC и различных потоках мышьяка. Показано, что понижение температуры эпитаксии приводит к изменениям поверхности роста, захвату избыточного мышьяка и увеличению параметра решетки эпитаксиальной пленки. Отжиг образцов, выращенных при низкой температуре (LT), приводит к релаксации параметра решетки и формированию в матрице InGaAs кластеров мышьяка. Для образцов, выращенных при 150^oC и отожженных при 500^oC, концентрация кластеров составляет ~8·10¹⁶ см^-3, а их средний размер ~5 нм. В предположении, что избыточный мышьяк преимущественно захватывается в форме антиструктурных дефектов, из величины релаксации параметра решетки LT InGaAs при отжиге определена концентрация избыточного мышьяка (N_As-N_Ga-N_In)/ (N_As+N_Ga+N_In)=0.4 ат%. Слои InGaAs, выращенные при 150^oC, характеризуются высокой концентрацией свободных электронов (~1·10¹⁸ см^-3). Отжиг таких слоев при 500^oC приводит к уменьшению концентрации электронов до ~1·10¹⁷ см^-3. Установлено, что изменение концентрации свободных электронов качественно коррелирует с изменением концентрации избыточного мышьяка в слоях.

M. Kaminska, Z. Liliental-Weber, E.R. Weber, T. George, J.B. Kortright. F.W. Smith, B.-J. Tsaur, A.R. Calawa. Appl. Phys. Lett., 54, 1881 (1989)
Kin Man Ju, M. Kaminska, Z. Liliental-Weber. J. Appl. Phys., 72, 2850 (1992)
Н.А. Берт, А.И. Вейнгер, М.Д. Вилисова, С.И. Голощапов, И.В. Ивонин, С.В. Козырев, А.Е. Куницын, Л.Г. Лаврентьева, Д.И. Лубышев, В.В. Преображенский, Б.Р. Семягин, В.В. Третьяков, В.В. Чалдышев, М.П. Якубеня. ФТТ, 35, 2609 (1993)
Y.J. Chin, S.B. Fleischer, D. Lasaosa, J. Bowers. Appl. Phys. Lett., 71, 2508 (1997)
R.A. Metzger, A.S. Brown, W.E. Stanchina, M. Liu, R.G. Wilson, T.V. Kargodorian, L.G. McCray, J.A. Henige. J. Cryst. Growth, 111, 445 (1991)
H. Kunzel, J. Bottcher, R. Gibis, G. Urmann. Appl. Phys. Lett., 61, 1347 (1992)
R.A. Metzger, A.S. Brown, L.G. McCray, J.A. Henige. J. Vac. Sci. Technol. B, 11, 798 (1993)
N.D. Zakharov, Z. Liliental-Weber, W. Sweder, A.S. Brown, R.A. Metzger. Appl. Phys. Lett., 63, 2809 (1993)
X. Liu, A. Prasad, J. Nishio, E.R. Weber, Z. Liliental-Weber, W. Walukiewicz. Appl. Phys. Lett., 67, 279 (1995)
M. Luysberg, H. Sohn, A. Prasad, P. Specht, Z. Liliental-Weber, E.R. Weber, J. Gebauer, R. Krause-Rehberg. J. Appl. Phys., 83, 561 (1998)
J. Betko, M. Morvic, J. Novak, A. Forster, P. Kordos. Appl. Phys. Lett., 69, 2563 (1996)
X. Liu, A. Prasad, W.M. Chen, A. Kurpiewski, A. Stoschek, Z. Liliental-Weber, E.R. Weber. Appl. Phys. Lett., 65, 3002 (1994)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель