Структура и свойства слоев InGaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре
Вилисова М.Д.1, Ивонин И.В.1, Лаврентьева Л.Г.1, Субач С.В.1, Якубеня М.П.1, Преображенский В.В.2, Путято М.А.2, Семягин Б.Р.2, Берт Н.А.3, Мусихин Ю.Г.3, Чалдышев В.В.3
1Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 16 февраля 1999 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1999 г.
Проведены исследования слоев InGaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках InP (100) при температурах 150-480oC и различных потоках мышьяка. Показано, что понижение температуры эпитаксии приводит к изменениям поверхности роста, захвату избыточного мышьяка и увеличению параметра решетки эпитаксиальной пленки. Отжиг образцов, выращенных при низкой температуре (LT), приводит к релаксации параметра решетки и формированию в матрице InGaAs кластеров мышьяка. Для образцов, выращенных при 150oC и отожженных при 500oC, концентрация кластеров составляет ~8·1016 см-3, а их средний размер ~5 нм. В предположении, что избыточный мышьяк преимущественно захватывается в форме антиструктурных дефектов, из величины релаксации параметра решетки LT InGaAs при отжиге определена концентрация избыточного мышьяка (NAs-NGa-NIn)/ (NAs+NGa+NIn)=0.4 ат%. Слои InGaAs, выращенные при 150oC, характеризуются высокой концентрацией свободных электронов (~1·1018 см-3). Отжиг таких слоев при 500oC приводит к уменьшению концентрации электронов до ~1·1017 см-3. Установлено, что изменение концентрации свободных электронов качественно коррелирует с изменением концентрации избыточного мышьяка в слоях.
- M. Kaminska, Z. Liliental-Weber, E.R. Weber, T. George, J.B. Kortright. F.W. Smith, B.-J. Tsaur, A.R. Calawa. Appl. Phys. Lett., 54, 1881 (1989)
- Kin Man Ju, M. Kaminska, Z. Liliental-Weber. J. Appl. Phys., 72, 2850 (1992)
- Н.А. Берт, А.И. Вейнгер, М.Д. Вилисова, С.И. Голощапов, И.В. Ивонин, С.В. Козырев, А.Е. Куницын, Л.Г. Лаврентьева, Д.И. Лубышев, В.В. Преображенский, Б.Р. Семягин, В.В. Третьяков, В.В. Чалдышев, М.П. Якубеня. ФТТ, 35, 2609 (1993)
- Y.J. Chin, S.B. Fleischer, D. Lasaosa, J. Bowers. Appl. Phys. Lett., 71, 2508 (1997)
- R.A. Metzger, A.S. Brown, W.E. Stanchina, M. Liu, R.G. Wilson, T.V. Kargodorian, L.G. McCray, J.A. Henige. J. Cryst. Growth, 111, 445 (1991)
- H. Kunzel, J. Bottcher, R. Gibis, G. Urmann. Appl. Phys. Lett., 61, 1347 (1992)
- R.A. Metzger, A.S. Brown, L.G. McCray, J.A. Henige. J. Vac. Sci. Technol. B, 11, 798 (1993)
- N.D. Zakharov, Z. Liliental-Weber, W. Sweder, A.S. Brown, R.A. Metzger. Appl. Phys. Lett., 63, 2809 (1993)
- X. Liu, A. Prasad, J. Nishio, E.R. Weber, Z. Liliental-Weber, W. Walukiewicz. Appl. Phys. Lett., 67, 279 (1995)
- M. Luysberg, H. Sohn, A. Prasad, P. Specht, Z. Liliental-Weber, E.R. Weber, J. Gebauer, R. Krause-Rehberg. J. Appl. Phys., 83, 561 (1998)
- J. Betko, M. Morvic, J. Novak, A. Forster, P. Kordos. Appl. Phys. Lett., 69, 2563 (1996)
- X. Liu, A. Prasad, W.M. Chen, A. Kurpiewski, A. Stoschek, Z. Liliental-Weber, E.R. Weber. Appl. Phys. Lett., 65, 3002 (1994)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
