Исследованы спектры краевой фотолюминесценции сильно легированного донорами In_xGa_1-xAs_1-yP_y (x=0.77, y=0.53) в диапазоне температур 77/ 300 K. Проведен расчет температурных зависимостей положения максимума и полуширины спектров на основе теории люминесценции, учитывающей флуктуации потенциала краев зон вследствие неоднородного распределения примесей. Получено хорошее согласие экспериментальных и расчетных кривых. При низких температурах в сильно легированном In_xGa_1-xAs_1-yP_y как p-, так и n-типа проводимости наблюдались смещение энергии максимума в сторону низких частот, уширение спектров и снижение интенсивности фотолюминесценции по сравнению с аналогичными параметрами спектров нелегированного материала. Анализируются механизмы излучательной рекомбинации.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.