Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Исследование влияния обработки поверхности полупроводника на характеристики 6H-SiC диодов Шоттки
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 8 февраля 1999 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1999 г.
Емкостными методами проведено исследование диодов Шоттки, сформированных на основе эпитаксиальных слоев n-6H-SiC, выращенных методом газофазoвой эпитаксии. Обнаружено, что величина потенциального барьера и ее зависимость от величины работы выхода металла сильно зависит от используемого метода обработки поверхности полупроводника.
- A.L. Syrkin, A.N. Andreev, A.A. Lebedev, M.G. Rastegaeva, V.E. Chelnokov. Mater. Sci. Eng. B, 29, 198 (1995)
- A.M. Stelchuk, M.G. Rastegaeva. Mater. Sci. Eng. B, 46, 379 (1997)
- M. Frischholz, K. Rottner, A. Schoner, T. Dalibor, G. Pensl. Diamond and Rel. Mater., 6, 1396 (1997)
- А.А. Лебедев, Д.В. Давыдов, К.И. Игнатьев. ФТИ, 30, 1865 (1995)
- А.А. Лебедев, Д.В. Давыдов. ФТП, 31, 1049 (1997)
- J.W. Palmor, J.A. Edmond, H.S. Kong, C.H. Carter, Jr. Physica B, 185, 461 (1993)
- V.V. Zelenin, A.A. Lebedev, S.M. Starobinets, V.E. Chelnokov. Mater. Sci. Eng. B, 46, 300 (1997)
- А.А. Лебедев, М.П. Щеглов, Т.В. Соколова. Письма ЖТФ, 21 (16), 48 (1995)
- A.A. Lebedev, M.P. Tregubova, A.A. Glagovskii, M.P. Scheglov, V.E. Chelnokov. Abstracts E-MRS Conf. (Strasburg, France, 1996, p. A-15)
- Yu.A. Vodakov, E.N. Mokhov. Inst. Phys. Conf. Ser. 137, Chapter 3 (1994) p. 197
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
