Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Лазерная генерация с длиной волны излучения в районе 1.3 мкм в структурах на основе квантовых точек InAs
Ковш А.Р.1, Жуков А.Е.1, Малеев Н.А.1, Михрин С.С.1, Устинов В.М.1, Цацульников А.Ф.1, Максимов М.В.1, Воловик Б.В.1, Бедарев Д.А.1, Шерняков Ю.М.1, Кондратьева Е.Ю.1, Леденцов Н.Н.1, Копьев П.С.1, Алферов Ж.И.1, Бимберг Д.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 23 марта 1999 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1999 г.
Исследована возможность реализации лазерной генерации на длине волны вблизи 1.3 мкм в структурах на основе квантовых точек InAs, помещенных во внешнюю квантовую яму InGaAs / GaAs. Показано, что требуемая длина волны может быть достигнута при соответствующем выборе толщины слоя InAs, осаждаемого для формирования массива трехмерных островков, и мольной доли InAs в квантовой яме InGaAs. Вследствие недостаточного усиления, достигаемого на основном состоянии, в структуре с активной областью на основе одного слоя квантовых точек лазерная генерация достигается через возбужденные состояния в температурном интервале от 85 до 300 K. Использование трех рядов квантовых точек позволяет увеличить максимально достижимое усиление в лазерной структуре, что в свою очередь приводит к реализации низкопороговой (70 А/см2) генерации через основное состояние на длине волны 1.26 мкм при комнатной температуре.
- S. Seki, H. Oohasi, H. Sugiura, T. Hirono, K. Yokoyama. J. Appl. Phys., 79(5), 2192 (1996)
- Y. Qian, Z.H. Zhu, Y.H. Lo, D.L. Huffaker, D.G. Deppe, H.Q. Hou, B.E. Hammons, W. Lin, Y.K. Tu. Appl. Phys. Lett., 71(1), 25 (1997)
- J.W. Matthews, A.E. Blakeslee. J. Cryst. Growth, 27, 118 (1974)
- M. Kondow, K. Uomi, A. Niwa, T. Kitatani, S. Watahiki, Y. Yazawa. Japan. J. Appl. Phys., 35, 1273 (1996)
- K. Mukai, N. Ohtsuka, M. Sugawara, S. Yamazaki. Japan. J. Appl. Phys. Lett., 33(12A), L1710 (1994)
- А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, П.С. Копьев, Н.Н. Леденцов, М.В. Максимов, В.М. Устинов, А.Ф. Цацульников, Ж.И. Алферов, Д.Л. Федоров, Д. Бимберг. ФТП, 30(8), 1345 (1996)
- K. Nakahara, M. Kondow, T. Kitatani, M.C. Larson, K. Uomi. IEEE Photon. Tech. Lett., 10(4), 487 (1998)
- D.L. Huffaker, G. Park, Z. Zou, O.B. Shchekin, D.G. Deppe. Appl. Phys. Lett., 73(18), 2564 (1998)
- А.Е. Жуков, А.Р. Ковш, А.Ю. Егоров, Н.А. Малеев, В.М. Устинов. Б.В. Воловик, М.В. Максимов, А.Ф. Цацульников, Н.Н. Леденцов, Ю.М. Шерняков, А.В. Лунев, Ю.Г. Мусихин, Н.А. Берт, П.С. Копьев, Ж.И. Алферов. ФТП, 33(2), 180 (1999)
- K. Nishi, H. Saito, S. Sugou, J.-S. Lee. Appl. Phys. Lett., 74(8), 1111 (1999)
- Б.В. Воловик, А.Ф. Цацульников, Д.А. Бедарев, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, А.Р. Ковш, Н.Н. Леденцов, М.В. Максимов, Н.А. Малеев, Ю.Г. Мусихин, А.А. Суворова, В.М. Устинов, П.С. Копьев, Ж.И. Алферов, Д. Бимберг, П. Вернер. ФТП, 33 (1999) (в печати)
- А.Р. Ковш, А.Е. Жуков, А.Ю. Егоров, В.М. Устинов, Н.Н. Леденцов, М.В. Максимов, А.Ф. Цацульников, П.С. Копьев. ФТП, 33(2), 215 (1999)
- V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.R. Kovsh, A.E. Zhukov, M.V. Maksimov, A.F. Tsatsul'nikov, N.Yu. Gordeev, S.V. Zaitsev, Yu.M. Shernyakov, N.A. Bert, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, J. Bohrer, D. Bimberg, A.O. Kosogov, P. Werner, U. Gosele. J. Cryst. Growth, 175/176, 689 (1997).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
