Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние водорода на вольт-амперные характеристики барьерных структур Pd/p-InGaAsP и Pd/n-InGaAs

Воронков В.П.¹, Хлудкова Л.С.¹

¹Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия Siberian Institute of Physics and Technology acad. V.D. Kuznetsov, Tomsk State University, Tomsk, Russia

Siberian Institute of Physics and Technology acad. V.D. Kuznetsov, Tomsk State University, Tomsk, Russia

Поступила в редакцию: 8 апреля 1999 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 1999 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовано влияние водорода на вольт-амперные характеристики барьерных структур палладий-полупроводник, изготовленных на основе твердых растворов In_0.92Ga_0.08As_0.17P_0.83 и In_0.53Ga_0.47As. Изучена кинетика изменения тока структур под действием водорода. Показано, что время отклика структур уменьшается с увеличением концентрации водорода в газовой смеси. Полученные результаты обсуждаются с точки зрения адсорбции атомов водорода на поверхности полупроводника.

Г.Г. Ковалевская, М.М. Мередов, Е.В. Руссу, Х.М. Салихов, С.В. Слободчиков. ЖТФ, 63, вып. 2, 185 (1993)
В.И. Гаман, П.Н. Дробот, М.О. Дученко, В.М. Калыгина. Поверхность, N 11, 64 (1996)
Г.Г. Ковалевская, Л. Кратена, М.М. Мередов, А.М. Маринова, С.В. Слободчиков. Письма ЖТФ, 15, вып. 12, 55 (1989)
M. Yousuf, B. Kuliyev, B. Lalevic, T.L. Poteat. Sol. St. Electron., 25, 753 (1982)
С.М. Слободчиков, Г.Г. Ковалевская, М.М. Мередов, Е.В. Руссу, Х.М. Салихов. ФТП, 28, 1155 (1994)
С.В. Тихов, В.П. Лесников, В.В. Подольский, М.В. Шилова. ЖТФ, 65, вып. 11, 120 (1995)
В.И. Гаман, М.О. Дученко, В.М. Калыгина. Изв. вузов. Физика, N 1, 69 (1998)
J.S. Escher, L.W. James, R. Sankaran, G.A. Antypas, R.L. Moon, R.L. Bell. J. Vac. Sci. Technol., 13, 874 (1976)
С.В. Слободчиков, Г.Г. Ковалевская, М.М. Мередов, А.В. Пенцов, Е.В. Руссу, Х.М. Салихов. Письма ЖТФ, 17, вып. 15, 1 (1991)
С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 1, гл. 5
В.Г. Божков, В.А. Кагадей, Н.А. Торхов. Изв. вузов. Физика, N 8, 115 (1997)
В. Литовченко. Полупроводниковая техника и микроэлектроника, N 9, 92 (1972)
Р. Бэррер. Диффузия в твердых телах (М., ИЛ, 1948) гл. 5, с. 246

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель