Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Моделирование неоднородной по объему преципитации кислорода в кремнии
1Ульяновский государственный университет, Ульяновск, Россия 
Поступила в редакцию: 20 июля 1998 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1999 г.
Предложена теоретическая модель преципитации точечных дефектов в кристаллах, которая обобщает известную модель Хэма. Использование данной теории позволило описать кинетику преципитации кислорода в кремнии, определить кинетику изменения средних геометрических размеров скоплений. Разработана теоретическая модель неоднородной по объему преципитации, которая может быть использована для описания процессов внутреннего геттерирования и создания диэлектрических слоев в объеме кремния.
- A. Borghesi, B. Pivac, A. Sassella, A. Stella. J. Appl. Phys., 77, 4196 (1995)
- R.A. Craven. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 36, 159 (1985)
- B.-Y. Tsaur. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 36, 641 (1985)
- R.A. Hartzell, H.F. Schaake, R.G. Massey. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 36, 217 (1985)
- M. Schrems, M. Budil, G. Hobler, H. Potzl, J. Hage. Proc. Simulation of Semicond. Dev. Proc., 4, 113 (1991)
- S. Senkander, J. Esfandyari, G. Hobler. J. Appl. Phys., 78, 6469 (1995)
- M.J. Binns, W.P. Brown, J.G. Wilkes, R.C. Newman, F.M. Livingston, S. Messoloras, R.J. Stewart. Appl. Phys. Lett., 42, 525 (1983)
- П.М. Гринштейн, М.А. Ильин, В.И. Фистуль. Электрон. техн., Материалы, N 9, 70 (1978)
- J. Vanhellemont. J. Appl. Phys., 78, 4295 (1995)
- С.В. Булярский, В.В. Светухин, О.В. Приходько. Изв. вузов. Электроника, N 5, 24 (1997)
- M.V. Smoluchowski. Z. Phys. Chem., 92, 192 (1917)
- С.В. Булярский, А.Н. Георгобиани, В.В. Светухин. Кр. сообщ. по физике, N 5--6, 93 (1997)
- J.W. Christian. The Theory of Transformation of Metalls and Alloys (Pergamon, Oxford, 1975)
- Н.Г. Ван Кампен. Стохастические процессы в физике и химии (М., Высш. шк., 1990)
- F.S. Ham. J. Phys. Chem. Sol. 6, 335 (1958)
- F.S. Ham. J. Appl. Phys., 30, 1518 (1959)
- В.И. Фистуль. Распад пересыщенных полупроводниковых твердых растворов ( М., Металлургия, 1977)
- D. Turnbull. Acta Met., 1, 764 (1953)
- T.Y. Tan, C.Y. Kung. J. Appl. Phys., 59, 917 (1986)
- J. Vanhellemont, C. Claeys. J. Appl. Phys., 71, 1073 (1992)
- W. Kaiser, H.L. Frisch, H. Reiss. Phys. Rev., 112, 1546 (1958)
- F.M. Livingstone, S. Messoloras, R.C. Newman, B.C. Pike, R.J. Stewart, N.J. Binns. J. Phys. C, 17, 6253 (1984)
- Lee S. Tong, D. Nichols. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 59, 31 (1986)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
