Стимулированная лазерной ударной волной активация примесей в кристаллах ZnSe
Байдуллаева А.1, Власенко А.И.1, Горковенко Б.Л.1, Мозоль П.Е.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 1 апреля 1999 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1999 г.
Исследовано влияние лазерной ударной волны на спектры фото- и термостимулированной проводимости, а также на температурные зависимости фото- и темнового токов монокристаллов ZnSe с различной концентрацией остаточных примесей. Показано, что температурная зависимость темнового тока в менее дефектных кристаллах после прохождения ударной волны наблюдается при более высоких давлениях ударной волны, а появление активации фото- и темнового токов обусловлено выходом из скоплений неконтролируемых примесей при прохождении ударной волны.
- А. Байдуллаева, А.И. Власенко, Ю.В. Власенко, Б.К. Даулетмуратов, П.Е. Мозоль. ФТП, 30, 1438 (1996)
- В.А. Янушкевич. Физика и химия обраб. материалов, N 2, 47 (1979)
- Ю.Н. Никифоров, В.А. Янушкевич. ФТП, 14, 534 (1980)
- В.А. Янушкевич. Физика и химия обраб. материалов, N 5, 9 (1975)
- Высокоскоростные ударные явления, под ред. В.Н. Николаевского (М., Мир, 1973)
- В.В. Борщ, П.Е. Мозоль, И.И. Пацкун, И.В. Фекешгази. ФТП, 16, 339 (1982)
- В.А. Коротков, Л.В. Маликова, Г.П. Гринько. Физика полупроводников и диэлектриков (Кишинев, Физ. науки, 1982)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук