Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Физические свойства кристаллов CdGeAs₂, полученных методом твердофазного синтеза

Рудь В.Ю.¹, Рудь Ю.В.², Ушакова Т.Н.²

¹Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
²Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 29 апреля 1999 г.

Выставление онлайн: 20 октября 1999 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Экспериментально доказана возможность получения тройных полупроводников A^IIB^IVC^V₂ (на примере CdGeAs₂) методом твердофазных реакций входящего в их состав компонента из четвертой группы Периодической системы элементов с паровой фазой, включающей компоненты соединения из второй и пятой групп. Представленные результаты первых исследований физических свойств выращенных кристаллов CdGeAs₂ и фоточувствительных гетероструктур из них открывают перспективы применения новой технологии для улучшения качества полупроводников A^IIB^IVC^V₂ и их новых практических применений.

Н.А. Горюнова. Химия алмазоподобных полупроводников (Л., ЛГУ, 1963)
Н.А. Горюнова, С.М. Рывкин, И.М. Фишман, Г.П. Шпеньков, И.Д. Ярошецкий. ФТП, 2, 1525 (1968)
В.Д. Прочухан, Ю.В. Рудь. ФТП, 12, 209 (1978)
P.G. Schunemann, K.L. Schepler, P.A. Budni. MRS Bull, 23, 45 (1998)
Р.Ф. Мехтиев, Э.О. Османов, Ю.В. Рудь. ПТЭ, N 2, 179 (1964)
P.G. Schunemann, T.M. Pollak. MRS Bull., 23, 23 (1998)
А.С. Борщевский, Н.Е. Дагина, А.А. Лебедев, К. Овезов, И.К. Полушина, Ю.В. Рудь. ФТП, 10, 1905 (1976)
Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник (М., Наука, 1979)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель