Физические свойства кристаллов CdGeAs2, полученных методом твердофазного синтеза
Рудь В.Ю.1, Рудь Ю.В.2, Ушакова Т.Н.2
1Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 29 апреля 1999 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1999 г.
Экспериментально доказана возможность получения тройных полупроводников AIIBIVCV2 (на примере CdGeAs2) методом твердофазных реакций входящего в их состав компонента из четвертой группы Периодической системы элементов с паровой фазой, включающей компоненты соединения из второй и пятой групп. Представленные результаты первых исследований физических свойств выращенных кристаллов CdGeAs2 и фоточувствительных гетероструктур из них открывают перспективы применения новой технологии для улучшения качества полупроводников AIIBIVCV2 и их новых практических применений.
- Н.А. Горюнова. Химия алмазоподобных полупроводников (Л., ЛГУ, 1963)
- Н.А. Горюнова, С.М. Рывкин, И.М. Фишман, Г.П. Шпеньков, И.Д. Ярошецкий. ФТП, 2, 1525 (1968)
- В.Д. Прочухан, Ю.В. Рудь. ФТП, 12, 209 (1978)
- P.G. Schunemann, K.L. Schepler, P.A. Budni. MRS Bull, 23, 45 (1998)
- Р.Ф. Мехтиев, Э.О. Османов, Ю.В. Рудь. ПТЭ, N 2, 179 (1964)
- P.G. Schunemann, T.M. Pollak. MRS Bull., 23, 23 (1998)
- А.С. Борщевский, Н.Е. Дагина, А.А. Лебедев, К. Овезов, И.К. Полушина, Ю.В. Рудь. ФТП, 10, 1905 (1976)
- Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник (М., Наука, 1979)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
