Статистическая задержка пробоя микроплазмы в фосфидгаллиевых p-n-переходах
Булярский С.В.1, Серёжкин Ю.Н.2, Ионычев В.К.2
1Ульяновский государственный университет, Ульяновск, Россия
2Мордовский государственный университет, Саранск, Россия
Поступила в редакцию: 15 февраля 1999 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1999 г.
Проведено исследование механизма включения микроплазмы в фосфидгаллиевых p-n-переходах. Показано, что измерение функции распределения статистической задержки пробоя по длительности позволяет определять энергетический спектр глубоких центров, локализованных в микроплазменных каналах. Экспериментальные исследования проведены на промышленных фосфидгаллиевых светодиодах АЛ102 красного свечения. В температурном диапазоне 100-380 K выявлено влияние ряда энергетических уровней. В исследуемых диодах обнаружено необычное сильное влияние глубоких центров на статистическую задержку пробоя при изменении их зарядового состояния частичным уменьшением напряжения на p-n-переходе.
- И.В. Грехов, Ю.Н. Сережкин. Лавинный пробой p-n-перехода в полупроводниках (Л., Энергия, 1980)
- C. Kimura, J. Nishizawa. Jap. J. Appl. Phys., 7, 1453 (1968)
- M.W. Nield, J.H. Leck. Br. J. Appl. Phys., 18, 185 (1967)
- П.В. Акимов, И.В. Грехов, Ю.Н. Серёжкин. ФТП, 4, 2099 (1970)
- K.I. Nuttal, M.W. Nield. Sol. St. Electron., 18, 13 (1975)
- G. Ferenczi. Sol. St. Electron., 17, 903 (1974)
- R.A. Logan, H.G. White. J. Appl. Phys., 36, 3945 (1965)
- С.В. Булярский, Н.С. Грушко. Генерационно-рекомбинационные процессы в активных элементах (М., Изд-во МГУ, 1995)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
