Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
О трансформации потенциального барьера на границе GaAs / Au при термообработке
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия 
Поступила в редакцию: 20 апреля 1999 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1999 г.
Исследовано влияние термической обработки в вакууме на электронное состояние поверхности GaAs(100), покрытой островковым слоем золота. Обнаружено, что с ростом температуры отжига в интервале 100/500oC происходит монотонное уменьшение эффективного изгиба зон в слое обеднения. При этом уровень Ферми на поверхности остается приблизительно на 0.8 эВ ниже дна зоны проводимости. Причиной трансформации потенциального барьера является формирование сильно легированной приповерхностной области с высокой прозрачностью для туннелирования. Показана возможность управления фотоэлектрическими свойствами тонких пленок GaAs с помощью адсорбции золота и термической обработки.
- J.M. Woodall, P.D. Kirchner, J.L. Freeouf, D.T. McInturff, M.R. Melloch, F.H. Pollak. Phil. Trans. R. Soc. Lond. A, 344, 521 (1993)
- M.P. Patkar, T.P. Chin, J.M. Woodall, M.S. Lundstrom, M.R. Melloch. Appl. Phys. Lett., 66, 1412 (1995)
- Т.А. Брянцева, В.Е. Любченко, Е.О. Юневич. Радиотехника и электроника, N 8, 1306 (1995)
- Н.А. Малеев, В.В. Волков, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, А.Р. Ковш, М.Ф. Кокорев, В.М. Устинов. ФТП, 33, 346 (1999)
- С.А. Костылев, Е.Ф. Прохоров, А.Т. Уколов. Явления переноса в тонкопленочных арсенидгаллиевых структурах (Киев, Наук. думка, 1990) гл. 2, с. 34
- Z. Liliental-Weber, R. Gronsky, J. Washburn, N. Newman, W.E. Spicer, E.R. Weber. J. Vac. Sci. Technol. B, 4, 966 (1986)
- P.H. Holloway, C.H. Mueller. Thin Sol. Films, 221, 254 (1992)
- Ю.А. Гольдберг, Е.А. Поссе. ФТП, 32, 200 (1998)
- N.L. Dmitruk, G.Y. Kolbasov, O.I. Maeva, V.I. Poludin. Thin Sol. Films, 65, 341 (1981)
- И.А. Карпович, Б.И. Бедный, Н.В. Байдусь, С.М. Планкина, М.В. Степихова, М.В. Шилова. ФТП, 23, 2164 (1989)
- Б.И. Бедный, Н.В. Байдусь, Ю.А. Данилов. В сб.: Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. Сер. Физика твердого тела (Н. Новгород, Изд-во ННГУ, 1998) вып. 2, с. 40
- Б.И. Бедный, И.А. Карпович, Н.В. Байдусь. Поверхность. Физика, химия, механика, N 1, 94 (1991)
- D.P. Wang, T.L. Shen. Jpn. J. Appl. Phys., 33, part 1, 1253 (1994)
- Ф. Бехштейн, Р. Эндерлайн. Поверхности и гранцицы раздела (М., Мир, 1990) гл. 4, с. 356. [Пер. с англ.: F. Bechstedt, R. Enderlein. Semiconductor surfaces and interfaces (Berlin, Akademie-Verlag, 1988)]
- В.И. Белый, В.Р. Белослудов. В сб.: Современные проблемы физической химии поверхности полупроводников (Новосибирск, Наука, 1988) с. 43
- Б.И. Бедный, Ю.А. Бенедиктов, А.Н. Калинин, И.А. Карпович. Изв. вузов. Физика, N 3, 30 (1980)
- Т.А. Брянцева, Г.Г. Дворянкина, З.М. Лебедева, А.Б. Ормонт, А.Г. Петров, Е.О. Юневич. Неорг. матер., 22, 889 (1986)
- T.P. Chen, Y.C. Liu, S. Fung, C.D. Beling. J. Appl. Phys., 77, 6724 (1995)
- H. Hasegawa, H. Ohno. J. Vac. Sci. Technol. B, 4, 1130 (1986)
- В.И. Шашкин, А.В. Мурель, Ю.Н. Дроздов, В.М. Данильцев, О.И. Хрыкин. Микроэлектроника, 26, 57 (1997)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
