Вышедшие номера
О трансформации потенциального барьера на границе GaAs / Au при термообработке
Бедный Б.И.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 20 апреля 1999 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1999 г.

Исследовано влияние термической обработки в вакууме на электронное состояние поверхности GaAs(100), покрытой островковым слоем золота. Обнаружено, что с ростом температуры отжига в интервале 100/500oC происходит монотонное уменьшение эффективного изгиба зон в слое обеднения. При этом уровень Ферми на поверхности остается приблизительно на 0.8 эВ ниже дна зоны проводимости. Причиной трансформации потенциального барьера является формирование сильно легированной приповерхностной области с высокой прозрачностью для туннелирования. Показана возможность управления фотоэлектрическими свойствами тонких пленок GaAs с помощью адсорбции золота и термической обработки.